IPM

BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM

VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP,

ID, VEC,

Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON),

VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L),

VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt,

T_MEAS, V_MEAS

IGBT

ICES BVCES IGES VF VGEON

VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT)

DIODE

VF-Temp,Temp, VF revision

上橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-H)

集電極電壓/Vce:100～1200V/±3%/10V

上橋IGBT/FRD耐壓測試(Bvce-H)

集電極電流/Ice： 10～75A/±3%/1A

上橋驅(qū)動IC低端靜態(tài)電流測試(IDH)

VD=VBS=15V/±3%/0.1V

上橋驅(qū)動IC高端靜態(tài)工作電流測試（Iqbs-U V W）

VIN=0～5V/±3%/0.1V

上橋欠壓保護(hù)監(jiān)測電平（UVbsd-U V W）

ton-L : 10～500nS/±3%/1nS

上橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVbsr-U V W）

tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS

上橋驅(qū)動IC導(dǎo)通閾值電壓測試（Vth（on）-UH VH WH）

toff-L: 50～500nS/±3%/1nS

上橋驅(qū)動IC關(guān)斷閾值電壓測試（Vth（off）-UH VH WH）

tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS

上橋IGBT飽和電壓測試（Vce(sat)-UH VH WH）

Trr-L :10～500nS/±3%/1nS

上橋FRD正向壓降測試（VF-(UH VH WH)

Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ

Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ

下橋IGBT/FRD漏電流測試（Ices-L）

下橋參數(shù)

集電極電壓/Vce:100～1200V/±3%/10V

下橋驅(qū)動IC靜態(tài)工作電流測試（IDL）

集電極電流/Ice:10～75A/±3%/1A

故障輸出電壓測試（Vfoh Vfol）

VD=VBS=15V/±3%/0.1V

過流保護(hù)閾值電壓測試（Vcin（ref））

VIN=0～5V/±3%/0.1V

下橋欠壓保護(hù)監(jiān)測電平（UVdd）VD=VBS=15V

on-L : 10～500nS/±3%/1nS

下橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVdr）

tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS

下橋驅(qū)動IC導(dǎo)通閾值電壓（Vth（on）-UL VL WL）

toff-L: 50～500nS/±3%/1nS

下橋驅(qū)動IC關(guān)斷閾值電壓（Vth（off）-UL VL WL）

tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS

下橋IGBT飽和電壓測試（Vce(sat)-UL VL WL）

Trr-L :10～500nS/±3%/1nS

下橋FRD正向壓降測試（VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ

Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ