從中國(guó)南車獲悉，公司下屬的株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開發(fā)”項(xiàng)目鑒定會(huì)上，研制的國(guó)內(nèi)唯一一款最大電壓等級(jí)、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，該項(xiàng)目代表我國(guó)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)IGBT技術(shù)的最高水平。
中國(guó)南車株洲所IGBT事業(yè)部總經(jīng)理劉國(guó)友向大智慧通訊社透露，中國(guó)南車株洲所在IGBT項(xiàng)目上總投資超過(guò)20億元，目前該公司有近百位來(lái)自全球的頂尖專家從事IGBT器件芯片及模塊技術(shù)的研發(fā)，在IBGT芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用上攻克了30多項(xiàng)難題，掌握該器件的成套技術(shù)，并在IGBT的規(guī)?；I(yè)化生產(chǎn)上形成完整的工藝體系，產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)軌道交通、柔性直流輸電以及礦冶領(lǐng)域得到批量應(yīng)用，項(xiàng)目已申報(bào)專利20項(xiàng)，獲得授權(quán)發(fā)明專利2項(xiàng)，實(shí)用新型專利2項(xiàng)。
目前，在國(guó)內(nèi)有數(shù)家從事中小功率IGBT產(chǎn)品組裝企業(yè)，具備了低端芯片（1200伏到1700伏電壓等級(jí)）研發(fā)及模塊封裝能力，在高壓IGBT模塊封裝技術(shù)上，也只有包括中國(guó)南車株洲所在內(nèi)的少數(shù)企業(yè)掌握了該項(xiàng)技術(shù)，而在關(guān)鍵的高壓IGBT芯片技術(shù)及后期系統(tǒng)運(yùn)用上，中國(guó)南車株洲所是國(guó)內(nèi)唯一一家全面掌握IGBT芯片技術(shù)研發(fā)、模塊封裝測(cè)試和系統(tǒng)應(yīng)用的企業(yè)。
中國(guó)南車株洲所作為我國(guó)電力電子器件原始創(chuàng)新能力的主要企業(yè)之一，從最早的軌道交通用晶閘管、GTO的研制，到新世紀(jì)開始在IGBT、IGCT等高端功率半導(dǎo)體器件技術(shù)的發(fā)力，走過(guò)了漫長(zhǎng)的一段路程。“十一五”以來(lái)，在國(guó)家發(fā)改委、工信部、科技部及地方各級(jí)政府的產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)政策支持和國(guó)內(nèi)軌道交通等市場(chǎng)的推動(dòng)下，該公司IGBT等功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，2011年啟動(dòng)的我國(guó)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，目前也已建成試運(yùn)行。屆時(shí)，中國(guó)南車株洲所成為世界上僅有的幾家在掌握功率半導(dǎo)體產(chǎn)品成套技術(shù)、規(guī)模化生產(chǎn)能力以及市場(chǎng)應(yīng)用的企業(yè)。
高壓高功率密度的IGBT應(yīng)用領(lǐng)域從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶到4C產(chǎn)業(yè)，擴(kuò)大到軌道交通、柔性直流輸電、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在推動(dòng)國(guó)家節(jié)能減排、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、裝備制造水平提升、國(guó)防現(xiàn)代化與科技化等方面具有重大的戰(zhàn)略價(jià)值，是現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。
目前，中國(guó)已成為世界上IGBT產(chǎn)品最大的消費(fèi)市場(chǎng)，以高速動(dòng)車組、大功率機(jī)車、新能源裝備、電網(wǎng)為龍頭的國(guó)內(nèi)變頻產(chǎn)業(yè)年IGBT需求量超過(guò)50億元，而且每年以15%以上速度增長(zhǎng)。隨著國(guó)家產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和升級(jí)，以及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高壓高功率密度IGBT將具有非常廣闊的應(yīng)用空間。
此前，高壓高功率密度IGBT技術(shù)幾乎全部被國(guó)外少數(shù)幾家企業(yè)壟斷，國(guó)內(nèi)還是一片空白。從2011年開始，中國(guó)南車株洲所通過(guò)全球性的戰(zhàn)略布局，吸納國(guó)際優(yōu)勢(shì)研發(fā)資源，對(duì)該項(xiàng)高端技術(shù)進(jìn)行自主攻關(guān)，終于在去年12月份開發(fā)出國(guó)內(nèi)首款從芯片到模塊完全自主化的3300伏等級(jí)的IGBT芯片，并在此基礎(chǔ)上，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模塊，初步形成了IGBT器件技術(shù)的完整產(chǎn)品型譜。
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