上海，2013年7月23日 – 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半?；诟皇客ò雽?dǎo)體的GaN功率器件，用戶可以設(shè)計出體積更小，效率更高的電源組件，可廣泛的運用于ICT設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域。
MB51T008A
MB51T008A具有許多優(yōu)點，包括：1)導(dǎo)電阻13 mΩ，總柵極電荷為16 nC，使用相同的擊穿電壓，實現(xiàn)的品質(zhì)因數(shù)(FOM)大約是基于硅的電源芯片產(chǎn)品的一半；2)使用WLCSP封裝，最小的寄生電感和高頻率操作；3) 專有的柵極設(shè)計，可實現(xiàn)默認(rèn)關(guān)閉狀態(tài)，可進行常關(guān)操作。新產(chǎn)品是數(shù)據(jù)通信設(shè)備、工業(yè)產(chǎn)品和汽車電源中使用的DC-DC轉(zhuǎn)換器的高邊開關(guān)和底邊開關(guān)的理想選擇。此外，由于其支持電源電路中更高的開關(guān)頻率，電源產(chǎn)品可實現(xiàn)整體尺寸縮小和效率的提高。富士通半導(dǎo)體計劃于2013年7月起開始提供樣片，并于2014年開始批量生產(chǎn)。
除了提供150 V的耐壓值產(chǎn)品，富士通半導(dǎo)體還開發(fā)了耐壓為600 V 和 30 V的產(chǎn)品，從而有助于在更寬廣的產(chǎn)品領(lǐng)域提高電源效率。這些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世紀(jì)80年代來牽頭開發(fā)的HEMT (高電子遷移率晶體管)技術(shù)。富士通半導(dǎo)體在GaN領(lǐng)域擁有大量的專利技術(shù)和IP，可迅速將GaN功率器件產(chǎn)品推向市場。富士通半導(dǎo)體還計劃與客戶在各個行業(yè)建立合作伙伴關(guān)系，以進一步拓展業(yè)務(wù)。
富士通半導(dǎo)體于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和其它GaN產(chǎn)品。時間：2013年7月17-19日，地點：日本東京國際博覽中心。公司會提供性能有進一步提高的具有2.5KW輸出功率的電源原形產(chǎn)品和測試數(shù)據(jù)， 該產(chǎn)品的高頻PFC模塊和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器采用了600V耐壓的GaN功率器件。
主要規(guī)格
MB51T008A
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漏源擊穿電壓 |
150V |
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柵極閾值電壓 |
1.8V |
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漏源通態(tài)電阻 |
13mΩ |
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總柵極電荷 |
16nC |
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封裝 |
WLCSP |
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