Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

時(shí)間：2013-09-06

來(lái)源：VISHAY 威世電子

導(dǎo)語(yǔ)：2,013 年 9 月5日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。

TrenchFET? Gen III P

賓夕法尼亞、MALVERN —2013年9月5日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間及提高效率而設(shè)計(jì)的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

對(duì)于電源管理中的負(fù)載和電池開(kāi)關(guān)，以及智能手機(jī)、平板電腦、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和固態(tài)驅(qū)動(dòng)的同步降壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用里的控制開(kāi)關(guān)，-12 V SiA467EDJ提供了13m?(-4.5V)的極低導(dǎo)通電阻。-20V SiA437DJ的導(dǎo)通電阻為14.5m?(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導(dǎo)通電阻分別只有20m?(-10V)和21m?(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級(jí)高達(dá)30A，承受很大的涌入電流，可用于負(fù)載開(kāi)關(guān)。

器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能在其電路中實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長(zhǎng)電池壽命，同時(shí)這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節(jié)省寶貴的電路板空間。對(duì)于小型負(fù)載點(diǎn)(POL)DC/DC和其他同步降壓應(yīng)用，MOSFET的P溝道技術(shù)不需要使用電平轉(zhuǎn)換電路或“自舉”器件，簡(jiǎn)化了柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)。
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進(jìn)行了100%的Rg測(cè)試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件規(guī)格表：

編號(hào)

VDS (V)

VGS (V)

RDS(ON) (m?) @

−10 V

−4.5 V

−2.5 V

−1.8 V

−1.5 V

SiA467EDJ

-12

8

-

13

19.5

40

-

SiA437DJ

-20

8

-

14.5

20.5

33.0

65.0

SiA449DJ

-30

12

20

24

38

-

-

SiA483DJ

-30

20

21

30

-

-

-

SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

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