編者按：意法半導體（ST）為三相電源應用中的低功耗開關(guān)電源設計提高ESBT®額定電壓，新產(chǎn)品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。 中國，2008年5月21日 — 電源應用的世界領先企業(yè)意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管）功率開關(guān)，新產(chǎn)品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。 STC03DE220HV是額定擊穿電壓2200V的ST ESBT新系列的首款產(chǎn)品。在電源電壓90V AC到690V AC的通用輸入轉(zhuǎn)換器中，新產(chǎn)品讓設計工程師采用單功率開關(guān)的反激式拓撲。使用一個通用的硬件平臺，再配合適合的控制器如L6565，ST完整的ESBT產(chǎn)品讓設計工程師能夠開發(fā)最大功率達到250W的準諧振轉(zhuǎn)換器。 高效開關(guān)頻率高達150kHz，最大額定電流3A，STC03DE220HV可用于各種輔助開關(guān)電源，包括商用電表、感應電機逆變器、電焊設備和不間斷電源（UPS）。強化的TO247-4L封裝是新產(chǎn)品的另一個亮點，8.9mm的爬電距離超出了IEC664-1在最大2200V工作電壓下的絕緣要求。 集通態(tài)損耗低、來自傳統(tǒng)MOSFET的開關(guān)頻率高、柵驅(qū)動設計簡易等三大優(yōu)點于一身，STC03DE220HV利用ESBT技術(shù)優(yōu)化了標準雙極晶體管和高壓MOSFET。從集電極到源極，STC03DE220HV達到了0.33 歐姆的等效導通電阻，同時還實現(xiàn)了150kHz 的最大開關(guān)頻率，如此高的工作頻率允許設計使用尺寸更小的濾波器。此外，整個裸片尺寸小于同級別電壓的高壓MOSFET＊，產(chǎn)品本身就實現(xiàn)了節(jié)省成本的目的。ESBT的正方形安全工作區(qū)（SOA）還有助于簡化電源設計，確保電源在各種環(huán)境中都有可靠的性能表現(xiàn)。 STC03DE220HV現(xiàn)已量產(chǎn)。 詳情請訪問 www.stmicroelectronics.com.cn/esbt 關(guān)于意法半導體（ST）公司 意法半導體，是微電子應用領域中開發(fā)供應半導體解決方案的世界級主導廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合（IP），以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導體在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中，ST的產(chǎn)品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年，公司凈收入100億美元，詳情請訪問ST網(wǎng)站：www.st.com 或ST中文網(wǎng)站www.stmicroelectronics.com.cn。