●該專利針對已故的美國技術(shù)創(chuàng)新獎得主PraveenChaudhari博士發(fā)明的技術(shù)頒發(fā)，涉及的技術(shù)可應(yīng)用于薄膜太陽能電池、LED、薄膜晶體管(TFT)、場效應(yīng)晶體管(FET)、太陽能逆變器和納米設(shè)備等多個電子行業(yè)
Solar-TecticLLC（簡稱ST）今天宣布，美國專利商標局(USPTO)已向公司的多項技術(shù)頒發(fā)了一項主要專利（50多個專利申請范圍），其中包括在普通玻璃等廉價襯底上生長單晶體、高度織構(gòu)或大粒徑半導(dǎo)體薄膜的技術(shù)。這些技術(shù)是由已故的1995年美國國家技術(shù)獎得主PraveenChaudhari博士發(fā)明，可應(yīng)用于太陽能、顯示器和LED等多個行業(yè)。
美國專利(12/774,465)“在器件上生長異質(zhì)外延單晶體或大粒徑半導(dǎo)體薄膜的方法”(MethodsofGrowingHeteroepitaxialSingleCrystalorLargeGrainedSemiconductorFilmsandDevicesThereon)揭示了改良的氣液固薄膜生長技術(shù)，該技術(shù)首次實現(xiàn)了采用硅、鍺和氮化鎵等各種材料在廉價襯底上生長的高品質(zhì)半導(dǎo)體薄膜的低溫沉積。
具有成本效益、類似納米線的薄膜生長工藝，其中包括低共熔合金，非常適合大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用，可采用當(dāng)前用于多個行業(yè)的電子束和化學(xué)氣相沉積等普通沉積工藝實現(xiàn)。
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