CMOS圖像傳感器 降噪節(jié)電成果多

時間:2015-06-26

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:在“2015年超大集成電路研討會”(Symposium on VLSI Circuits)的“Image Sensors”分會上,CMOS圖像傳感器需要具備的各種技術(shù)開發(fā)成果和研究成果紛紛亮相,包括低噪聲、低耗電、高動態(tài)范圍、高速讀取等。此次這方面共發(fā)表了5篇論文演講,其中三篇來自日本,從中可以感受到支撐采用圖像傳感器的影像傳感市場的日本的基礎(chǔ)技術(shù)實力。

在“2015年超大集成電路研討會”(SymposiumonVLSICircuits)的“ImageSensors”分會上,CMOS圖像傳感器需要具備的各種技術(shù)開發(fā)成果和研究成果紛紛亮相,包括低噪聲、低耗電、高動態(tài)范圍、高速讀取等。此次這方面共發(fā)表了5篇論文演講,其中三篇來自日本,從中可以感受到支撐采用圖像傳感器的影像傳感市場的日本的基礎(chǔ)技術(shù)實力。

第一篇是北海道大學(xué)和慶應(yīng)大學(xué)的論文,介紹了利用片上線圈之間的電場耦合來實現(xiàn)高速低噪傳輸?shù)膱D像傳感器。慶應(yīng)大學(xué)在2014年的VLSI研討會上發(fā)表了采用磁場耦合通信的DRAM和SoC的高速接口技術(shù),此次是首次公開配備TDC型ColumnAD的圖像傳感器的通信實驗結(jié)果,介紹了In-plane(積層)方式及on-stack(像素正下方)方式的磁場噪聲的影響。

第二篇論文演講來自臺積電(TSMC),內(nèi)容是可降低噪聲的積層圖像傳感器。為了防止多采樣方式下幀頻降低,在傳感器內(nèi)安裝了檢測電路,該公司已證實,如果只在低照度時選擇1/4振幅的蘭姆波形,就能同時實現(xiàn)低噪聲和高速度。這一方案與索尼在ISSCC2015上發(fā)布的積層構(gòu)造傳感器完全不同。雖然降噪效果只有索尼傳感器的80%(采樣次數(shù)M=2時),但在電路規(guī)模上具有優(yōu)勢。而且,還通過增加采樣次數(shù),使讀取噪聲降至0.66erms。

適合可穿戴用途的自發(fā)電型圖像傳感器

第3篇演講論文來自臺灣清華大學(xué),內(nèi)容是兼顧能量采集和高動態(tài)范圍的0.4V驅(qū)動PWM型圖像傳感器。生物醫(yī)藥、可穿戴等市場對超低功耗圖像傳感器的需求很大,自發(fā)電型圖像傳感器還非常適合IoT用途。

演講中,臺灣清華大學(xué)介紹了通過圖像傳感器全面發(fā)電、在10萬lx的限定條件下反復(fù)進行發(fā)電和攝像時的工作情況。作為一種實現(xiàn)HDR(highdynamicrange,高動態(tài)范圍)的方法,通過采用基于幀的Dual曝光動作方式,達到了140dB的動態(tài)范圍。演講結(jié)束后,聽眾針對0.4V電路運行穩(wěn)定性及發(fā)電效果等實際運行情況積極提問,氣氛十分活躍。

第4篇演講論文來自日本東北大學(xué),內(nèi)容是低噪聲HDR圖像傳感器。該論文不僅提出了即可實現(xiàn)側(cè)向溢漏機構(gòu)有能時間FD容量最小化的元器件方案,還通過配備增益放大器電路,使讀取噪聲降至0.5erms。飽和信號量為76ke,動態(tài)范圍高達104dB。該校還在幾乎同一時間在荷蘭舉行的“IISW(InternationalImagesensorworkshop)”上介紹了相關(guān)技術(shù),讓人預(yù)感到,將來會通過能減少FD容量的高轉(zhuǎn)換效率技術(shù)實現(xiàn)光子計數(shù)。

第5場演講來自奧林巴斯,內(nèi)容是使用微焊點(Microbump)接合方式來實現(xiàn)超高速讀取和GS(GlobalShutter,全局快門)讀取的積層型圖像傳感器(演講序號:C4-5)。除了縮小焊點間距及增加焊點數(shù)量等元件技術(shù)的進步之外,該公司還介紹了10kfps的高速捕獲動作。全局快門動作存在保持信號時會漏進光線的問題,但該公司通過配備于下芯片的電容電荷保持結(jié)構(gòu),使PLS(ParasiticLightSensitivity,寄生感光度)達到了超過其他元器件技術(shù)的-180dB。除了去掉機械部件的袖珍相機,奧林巴斯還提出了其他應(yīng)用方案,讓人感受到了該公司在圖像傳感器開發(fā)方面的自信。

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