芯片對于一國來說顯得至關(guān)重要，這些年國家開始大舉發(fā)展國產(chǎn)芯片。過去芯片一直被韓國、美國等壟斷，在議價(jià)、出貨量方面顯得被動不堪?，F(xiàn)在我國開始發(fā)展芯片，希望能夠滿足本國市場70%的需求。現(xiàn)在引來新的消息，我國3DNAND存儲器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展，32層3DNAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測試，達(dá)到預(yù)期要求。

目前市場上許多固態(tài)硬盤（SSD）都已經(jīng)轉(zhuǎn)向3DNAND閃存。因?yàn)?，不論是性能，還是容量，或者是使用壽命，3DNAND閃存都要比傳統(tǒng)2DNAND閃存好得多。而且，廠商也會借此來降低生產(chǎn)成本，以提高產(chǎn)量。事實(shí)上，在轉(zhuǎn)向3DNAND生產(chǎn)方面，實(shí)力最強(qiáng)的仍以韓國三星領(lǐng)先，東芝（Toshiba）/Sandisk與SK海力士其次，我國還是空白。

三星始作俑者導(dǎo)致存儲器漲價(jià)，三星霸主地位使得三星有能力主導(dǎo)價(jià)格提升，彌補(bǔ)Note7爆炸導(dǎo)致的巨額損失。由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，現(xiàn)在啟動的是第一期，主要目標(biāo)是生產(chǎn)3DNAND閃存，2018年將啟動第二期建設(shè)，規(guī)劃是上DRAM內(nèi)存芯片，2019年啟動第三期建設(shè)，主要目標(biāo)是代工服務(wù)，產(chǎn)能也會越來越大。過去中國缺少NAND閃存自主生產(chǎn)能力是個(gè)大問題，現(xiàn)在問題解決了已經(jīng)在布局了。

外媒報(bào)道稱，中國這樣的新一輪大規(guī)模國產(chǎn)化攻勢或?qū)訐u以美國為首隨后是韓國、日本和臺灣地區(qū)主導(dǎo)的世界市場。在鋼鐵、船舶建造、太陽能面板之后，中國大陸這個(gè)亞洲巨頭又打算通過巨額投資的模式再一次擊暈對手。不過直到目前，三星和臺積電都處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先位置。這些企業(yè)是在上世紀(jì)80年代實(shí)施的發(fā)展戰(zhàn)略的成果?，F(xiàn)在3DNAND存儲器芯片研發(fā)系列工作得到了國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、紫光控股、湖北省國芯投資、湖北省科投的大力支持。

大家都看得到，中國做存儲，做NAND存儲，是必然的。消息是振奮人心的，但道路可預(yù)見也是坎坷崎嶇的。中國做存儲是必然的，區(qū)別只是或早或晚，所有一切都是從零開始，今天不去做，明天碰到的困難還是那么多。期待中國企業(yè)可以在存儲行業(yè)占一席之地的未來。

記憶體業(yè)者自相殘殺，等到中國廠商進(jìn)入市場，情況將急轉(zhuǎn)直下。報(bào)告稱，中國可能是足以顛覆市場的競爭者，他們財(cái)力雄厚，等到供給上線后，市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3DNAND技術(shù)大約落后領(lǐng)先廠商4~5年，他們打算狂燒資本加緊追趕，等到量產(chǎn)之后，市場供給過剩將更加惡化。外媒報(bào)告稱，中國可能是足以顛覆市場的競爭者，目前國產(chǎn)3D閃存還在奮力追趕競爭者。