松下和瑞薩聯(lián)手開發(fā)45nm技術(shù)

時(shí)間：2006-08-07

來源：松下電器機(jī)電（上海）有限公司

導(dǎo)語：松下電器產(chǎn)業(yè)和瑞薩科技正式宣布，兩公司共同開發(fā)的面向系統(tǒng)芯片的半導(dǎo)體制造技術(shù)對(duì)象擴(kuò)展到45nm產(chǎn)品。

松下電器產(chǎn)業(yè)和瑞薩科技正式宣布，兩公司共同開發(fā)的面向系統(tǒng)芯片（SoC）的半導(dǎo)體制造技術(shù)對(duì)象擴(kuò)展到45nm產(chǎn)品。并計(jì)劃于2007年度完成此項(xiàng)技術(shù)開發(fā)，于2008年度開始量產(chǎn)。 　　兩公司自2005年10月起共同開發(fā)45nm技術(shù)，在業(yè)界率先采用了開口率（NA）為1以上的ArF液浸掃描儀。此外，兩公司正在推進(jìn)向晶體管施加局部應(yīng)力以提高電流驅(qū)動(dòng)能力的“變形導(dǎo)入高遷移率晶體管”技術(shù)，及比介電率為2.4的多層布線模塊的開發(fā)。除了結(jié)構(gòu)模塊的技術(shù)，雙方還一攬子開發(fā)所有的晶圓工藝，即所謂的全集成（Full Integration），并已經(jīng)進(jìn)入了正式的生產(chǎn)技術(shù)開發(fā)階段。 　　松下電器和瑞薩科技已經(jīng)共同開發(fā)了130nm制造工藝的DRAM混載技術(shù)、90nm制造工藝的SoC技術(shù)、90nm制造工藝的DRAM混載技術(shù)、65nm制造工藝的SoC技術(shù)。此次是雙方繼上述成果之后的進(jìn)一步合作。
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