Littelfuse宣布推出1700V、1Ohm碳化硅MOSFET——支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用

時(shí)間:2018-10-23

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導(dǎo)語(yǔ):中國(guó),北京,2018年10月22日訊-Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFETLSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補(bǔ)充

【中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng) 新品新聞】 中國(guó),北京,2018年10月22日訊-Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFETLSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補(bǔ)充,也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。最終用戶(hù)將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本。

碳化硅MOSFETLSIC1MO170E1000

碳化硅MOSFET技術(shù)帶來(lái)的高效性可為諸多要求嚴(yán)格的應(yīng)用提供多重優(yōu)勢(shì),包括電動(dòng)和混動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心及輔助電源。相比同類(lèi)的SiIGBT,LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可帶來(lái)一系列系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化機(jī)會(huì),包括提高效率、增加功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本的可能性。

此外,相比市面上其他業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅MOSFET器件,Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更優(yōu)越的性能。碳化硅MOSFETLSIC1MO170E1000的典型應(yīng)用包括:

●太陽(yáng)能逆變器

●開(kāi)關(guān)模式和不間斷電源

●電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

●高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

●感應(yīng)加熱

“此產(chǎn)品可改善現(xiàn)有應(yīng)用,并且Littelfuse應(yīng)用支持網(wǎng)絡(luò)可促進(jìn)新的設(shè)計(jì)方案?!盠ittelfuse半導(dǎo)體事業(yè)部電源半導(dǎo)體全球產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理MichaelKetterer表示?!疤蓟鐼OSFET可為基于硅的傳統(tǒng)功率晶體管器件提供富有價(jià)值的替代選擇。相比同類(lèi)IGBT,MOSFET器件結(jié)構(gòu)可減少每個(gè)周期的開(kāi)關(guān)損耗并提高輕載效率。固有的材料特性讓碳化硅MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導(dǎo)通電阻和結(jié)電容方面優(yōu)于硅MOSFET。”

新推出的1700V、1Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝,具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):

●專(zhuān)為高頻、高效應(yīng)用優(yōu)化

●極低柵極電荷和輸出電容

●低柵極電阻,適用于高頻開(kāi)關(guān)

供貨情況

LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只裝TO-247-3L管式封裝。您可通過(guò)全球各地的Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商索取樣品。如需了解Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商名錄,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)littelfuse.com。

 

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