國產(chǎn)芯片共同努力,在多個行業(yè)取得突破

時間:2022-03-17

來源:維科電子工程網(wǎng)

導(dǎo)語:由于華為的遭遇,芯片國產(chǎn)化受到高度關(guān)注,而經(jīng)過這兩年時間的努力,國產(chǎn)芯片在多個行業(yè)都已取得了突破,推動了國產(chǎn)芯片自主研發(fā),打破了外國在芯片行業(yè)的壟斷優(yōu)勢。

  首先是在射頻芯片方面,中國已有多家芯片企業(yè)如富滿電子等研發(fā)5G射頻芯片并已進入量產(chǎn)階段,5G射頻芯片是國產(chǎn)5G手機的關(guān)鍵芯片之一,此前該類芯片主要由美國和日本所壟斷,正是因為這種原因?qū)е氯A為推出的P50 Pro在采用了集成5G基帶的麒麟9000后卻無法支持5G。

  在電源芯片方面,華為早已實現(xiàn)電源芯片自主研發(fā),在它的手機上采用了自主研發(fā)的電源芯片;去年以來國產(chǎn)手機四強中的小米、OPPO、vivo等也已研發(fā)出ISP芯片,以自研ISP芯片取代外國芯片,增強了拍照能力;小米、OPPO還在快充芯片方面取得了突破。

  在手機芯片方面,華為由于眾所周知的原因無法生產(chǎn)之后,國產(chǎn)手機芯片另一代表企業(yè)紫光展銳在快速崛起,早前counterpoint公布的數(shù)據(jù)顯示紫光展銳在2021年的出貨量取得數(shù)倍增長,已取得一成多市場份額,由此超越三星位居全球手機芯片市場第四名。

  近期在傳出Intel、三星、臺積電等聯(lián)合成立“小芯片聯(lián)盟”,將推出一種chiplet芯片互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)Ucle;這方面其實中國早已有準(zhǔn)備,已制定chiplet標(biāo)準(zhǔn)草案,預(yù)計年底前推出,此舉對于中國芯片行業(yè)更是具有積極意義。

  chiplet標(biāo)準(zhǔn)其實早在數(shù)年前就已開始討論,主要是考慮到芯片制造工藝的研發(fā)難度越來越高,如今的芯片制造工藝即將量產(chǎn)3納米,即將達到極限,而且越先進的工藝成本就越高,因此芯片行業(yè)探討在芯片封裝技術(shù)方面進行創(chuàng)新,以成熟工藝提升性能,chiplet標(biāo)準(zhǔn)正是由此而來。

  此前chiplet標(biāo)準(zhǔn)僅僅是探討,但是今年蘋果推出的M1 ultra和臺積電與英國芯片企業(yè)合作采用3D WOW技術(shù)將chiplet標(biāo)準(zhǔn)變成現(xiàn)實。蘋果的M1 ultra是將兩顆M1芯片已特殊的方式連接在一起,性能得到大幅提升,擊敗了Intel的12代i9處理器;臺積電為英國一家AI芯片公司Graphcore以7納米生產(chǎn)的一款I(lǐng)PU產(chǎn)品Bow,以3D WOW封裝技術(shù)封裝卻提升了40%的性能,性能提升幅度比5納米工藝還要高。

  中國推出chiplet標(biāo)準(zhǔn)可以利用現(xiàn)有的成熟工藝大幅提升芯片性能,其實這種方式在去年曾被華為提出,當(dāng)時傳華為的雙芯堆疊技術(shù)可以國內(nèi)投產(chǎn)的14納米工藝生產(chǎn)芯片進行堆疊后將性能提升到接近7納米,如此就突破了當(dāng)下受限于EUV光刻機而無法投產(chǎn)7納米及更先進工藝的問題。

  如今蘋果和臺積電的做法都驗證了芯片堆疊技術(shù),并且Intel、三星、臺積電等將成立“小芯片聯(lián)盟”進一步推動芯片封裝技術(shù),無疑證明了芯片堆疊技術(shù)的可行性,這將有利于中國的芯片企業(yè)利用現(xiàn)有的芯片工藝生產(chǎn)出性能更先進的芯片,打破芯片制造工藝受限的問題。

  可以說這兩年發(fā)生的事情,促使中國芯片行業(yè)想方設(shè)法積極利用現(xiàn)有的技術(shù)打破外國芯片的技術(shù)壟斷,充分發(fā)揮了國內(nèi)芯片的積極性,可以預(yù)期未來中國芯片行業(yè)將在更多芯片行業(yè)突破,取得更大的進步。

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