臺(tái)積電日前宣布已組建團(tuán)隊(duì)研發(fā)1.4nm工藝，而它早前才宣布2nm更先進(jìn)工藝面臨巨大的困難因此將放緩工藝研發(fā)，如今卻忽然宣稱研發(fā)1.4nm，原因或許在于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和Intel在先進(jìn)工藝方面的進(jìn)展。

       臺(tái)積電和三星都宣稱將在今年下半年量產(chǎn)3nm工藝，不過(guò)兩者的3nm工藝并不完全相同，三星的3nm工藝更先進(jìn)。三星的3nm工藝率先引入了GAA FET工藝，臺(tái)積電則繼續(xù)采用了FinFET工藝，因此三星3nm在性能、功耗方面都較臺(tái)積電更先進(jìn)。

　　三星引入GAA FET工藝不僅有助它在3nm工藝上取得技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，更有望幫助它在更先進(jìn)的2nm工藝方面取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，因?yàn)闃I(yè)界都認(rèn)為FinFET工藝的極限就是3nm，更先進(jìn)的2nm工藝必須引入GAA FET工藝。

　　給臺(tái)積電帶來(lái)壓力的還有Intel，Intel此前在2014年量產(chǎn)14nm工藝之后就陷入停滯，10nm工藝延遲到2019年底才量產(chǎn)，隨后它的Intel 4工藝也曾被宣布延遲至明年，但是近期它表示今年下半年就會(huì)量產(chǎn)Intel 4工藝。

　　Intel 4工藝等效于臺(tái)積電的4nm工藝，本來(lái)這還落后于臺(tái)積電的3nm，但是Intel表示將在2025年量產(chǎn)Intel 18A工藝，而臺(tái)積電曾表示2nm工藝延遲到2025年，如此Intel就有望在2025年實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電的反超。

　　三星和Intel在先進(jìn)工藝制程方面的趕超，無(wú)疑讓臺(tái)積電深感壓力，正是在如此情況下，臺(tái)積電如今忽然宣布組建團(tuán)隊(duì)研發(fā)1.4nm，預(yù)計(jì)在2026年量產(chǎn)1.4nm，如此也就意味著它也將加速2nm工藝的研發(fā)。

　　臺(tái)積電在先進(jìn)工藝研發(fā)進(jìn)度方面放緩，在于它失去了華為這個(gè)重要客戶。華為這個(gè)客戶可不簡(jiǎn)單，它不僅僅是臺(tái)積電的第二大客戶--僅次于蘋(píng)果，它還幫助臺(tái)積電研發(fā)先進(jìn)工藝，從16nm到5nm工藝都是華為這個(gè)客戶嘗鮮，然后幫助臺(tái)積電發(fā)現(xiàn)先進(jìn)工藝的問(wèn)題，改良并提升良率后再大規(guī)模為蘋(píng)果生產(chǎn)芯片。

　　然而從2020年9月15日后，臺(tái)積電就不再為華為代工生產(chǎn)芯片，巧合的是臺(tái)積電此后的3nm工藝就被從2021年延遲到今年下半年，似乎顯示出失去華為這個(gè)客戶不僅損失了收入，還導(dǎo)致它的先進(jìn)工藝研發(fā)被延緩。

　　如今面對(duì)三星和Intel在先進(jìn)工藝研發(fā)方面的趕超，臺(tái)積電自然更慌了，因此不得不宣布加速1.4nm的研發(fā)，然而業(yè)界都清楚1nm就是當(dāng)下硅基芯片的極限，在2nm工藝之后都可以歸于1nm水平，臺(tái)積電突然宣布加速1.4nm工藝研發(fā)，并不代表它就已為研發(fā)1.4nm做好了充分準(zhǔn)備，畢竟它當(dāng)下都還在為2nm工藝而努力呢。

　　可以說(shuō)臺(tái)積電雖然當(dāng)下處于它的巔峰水平，但是失去了華為這個(gè)客戶之后，已造成深遠(yuǎn)的影響，導(dǎo)致它的3nm工藝量產(chǎn)延遲，更影響了它在先進(jìn)的2nm及更先進(jìn)工藝的研發(fā)，如果它的這些先進(jìn)工藝研發(fā)不能如期進(jìn)行，那么它的輝煌或許也就止步于此了吧?