近日，三星在半導(dǎo)體制程工藝和NAND Flash閃存領(lǐng)域消息不斷。
擴(kuò)產(chǎn)4納米，Q4每月新增產(chǎn)能2萬(wàn)片
繼今年6月?lián)屜刃剂慨a(chǎn)3納米工藝之后，市場(chǎng)又有消息稱三星計(jì)劃在第四季度擴(kuò)產(chǎn)4納米制程。
據(jù)韓國(guó)媒體infostockdaily報(bào)道，三星4納米在良率顯著提升下，正著手?jǐn)U產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年第4季每月新增上看2萬(wàn)片產(chǎn)能。
報(bào)道稱，三星晶圓代工4納米制程因?yàn)榱悸侍嵘良s六成，因此隨客戶需求提升而決議擴(kuò)產(chǎn)，并規(guī)劃在4納米豪擲約5萬(wàn)億韓元投資，欲爭(zhēng)取更多高通、超威、英偉達(dá)等大廠代工訂單。
業(yè)界指出，三星集團(tuán)晶圓代工產(chǎn)能過往約六成提供自家芯片生產(chǎn)，其余承接委外訂單，今年持續(xù)積極擴(kuò)產(chǎn)，并擴(kuò)大承接晶圓代工訂單，將自家芯片產(chǎn)能占比降至五成，借此在存儲(chǔ)器市況逆風(fēng)下，提升半導(dǎo)體事業(yè)獲利。
對(duì)于相關(guān)消息，三星表示，無(wú)法確認(rèn)產(chǎn)量和投資增加問題。
236層NAND Flash產(chǎn)品在路上
韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，三星今年將發(fā)布236層堆疊NAND Flash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品，還計(jì)劃本月開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心，負(fù)責(zé)更先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品研發(fā)。
當(dāng)前存儲(chǔ)器制造商不斷增加NAND Flash堆疊層數(shù)，以求更高效益。例如，西數(shù)與鎧俠計(jì)劃2022年底前開始量產(chǎn)162層閃存產(chǎn)品。未來(lái)，雙方還將發(fā)力200+層閃存技術(shù)，并計(jì)劃2032年之前陸續(xù)推出300+層以上、400+層與500+層閃存技術(shù)。
美光科技已于今年7月宣布開發(fā)全球首款232層堆疊NAND Flash，產(chǎn)品現(xiàn)已在美光新加坡工廠量產(chǎn)。未來(lái)，美光還將發(fā)力2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)。
今年8月初，SK海力士也宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存，并計(jì)劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。
至于三星，盡管其作為全球最大的NAND Flash廠商，目前市占率高達(dá)35%，但研發(fā)記錄還停留在176層。迫于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的壓力，三星計(jì)劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格以及性能競(jìng)爭(zhēng)力，將NAND Flash堆疊層數(shù)增加60層。
不過，三星236層堆疊NAND Flash推出的具體時(shí)間，還有待后續(xù)關(guān)注。
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