芯片報廢率80%的3nm可憐蟲:這下有救了

時間:2023-01-06

來源:eechina

導(dǎo)語:據(jù)DT報道,三星正在調(diào)整的一個優(yōu)化方案是,在3nm EUV光刻中引進穿透率達90%的掩模保護膜,供應(yīng)商是本土公司S&S Tech。 EUV光刻與此案的ArF(氟化氬)曝光設(shè)備不同,光反射到鏡子后,再到晶片,因此光源損失很大。

       去年底臺積電宣布3nm量產(chǎn),預(yù)計今年年中之后在終端層面開始大規(guī)模應(yīng)用。

  隨后有業(yè)內(nèi)專家透露,臺積電3nm的良率可達80%,非常可觀。 然而,提前半年投產(chǎn)3nm的三星,則有些尷尬,據(jù)說良率僅20%。這個表現(xiàn),難怪沒有大廠敢下單。

  雖說三星上馬了GAA晶體管,技術(shù)難度高算是情有可原,然而和臺積電差距這么大顯然不是長久之計。

  據(jù)DT報道,三星正在調(diào)整的一個優(yōu)化方案是,在3nm EUV光刻中引進穿透率達90%的掩模保護膜,供應(yīng)商是本土公司S&S Tech。 EUV光刻與此案的ArF(氟化氬)曝光設(shè)備不同,光反射到鏡子后,再到晶片,因此光源損失很大。要想使光源損失降到最低,必須使用穿透率超過90%的EUV用保護膜,從而保護光罩。

  三星這一調(diào)整,能否有效提高3nm GAA芯片的良率,還有待檢驗。

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