據(jù)行業(yè)媒體消息，為了克服低迷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)狀況，三星電子計(jì)劃停止其位于韓國(guó)平澤市P1工廠的部分NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備。
據(jù)ZDNet Korea報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止P1工廠NAND Flash生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)。該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)128層堆疊的第6代V-NAND。據(jù)悉，該設(shè)備將停產(chǎn)至少一個(gè)月，但可能會(huì)延長(zhǎng)至2023年下半年。
目前，三星已經(jīng)減少了主要NAND Flash生產(chǎn)基地的晶圓投入，包括韓國(guó)平澤、華城以及中國(guó)西安。業(yè)界猜測(cè)三星的NAND Flash產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。不過，鑒于市場(chǎng)持續(xù)低迷，三星在4月份發(fā)布的2023年Q1財(cái)報(bào)中正式宣布存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。此外，三星在發(fā)布第Q2財(cái)報(bào)時(shí)表示，2023年下半年將重點(diǎn)削減NAND Flash領(lǐng)域的產(chǎn)量。
值得注意的是，第6代128層V-NAND系列工藝相對(duì)成熟，成為減產(chǎn)目標(biāo)。目前，三星的主要銷售來自第7代和第8代V-NAND產(chǎn)品，分別為176層和236層。
值得注意的是，半導(dǎo)體公司通常采用在減產(chǎn)期間保持設(shè)備運(yùn)行而不生產(chǎn)晶圓的方法。這主要是因?yàn)槿绻O(shè)備完全關(guān)閉，重新啟動(dòng)期間重新建立工藝、達(dá)到產(chǎn)量需要額外的時(shí)間和金錢投資。不過，三星正在考慮停止設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)，不僅是為了增強(qiáng)減產(chǎn)效果，也是為了削減成本。
據(jù)報(bào)道，包括半導(dǎo)體在內(nèi)的三星設(shè)備解決方案(DS)部門僅在2023年上半年就累計(jì)虧損8.94萬億韓元(約合67.2億美元)。因此，“降低成本”成為三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)目標(biāo)管理(MBO)目標(biāo)的重點(diǎn)之一。
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