AI 算力爆發(fā)催生數據中心電源新需求

　　AI 工作負載的持續(xù)強化，使得 AI 機架服務器單個 GPU 的功耗在未來幾年內預計將達到驚人的 2kW。更值得關注的是，據預測，到 2030 年數據中心的電力消耗將占全球電力消耗的 7%，這一數值相當于印度目前的能源消耗總量。全球數據的指數級增長，疊加不斷加劇的電力和電網約束，不僅推動著對節(jié)能解決方案的迫切需求，以減輕這一趨勢對環(huán)境的影響，還關乎供應安全，尤其是在數據中心集中的地區(qū)。

　　面對這一局面，許多企業(yè)由于對可擴展性的迫切需求、高昂的前期成本以及大規(guī)?；A設施管理的復雜性，難以承擔擴建或新建數據中心的重任。因此，數據中心不得不嘗試在現有機架空間內實現更高的功率密度。為了滿足不斷增長的功率需求，電源供應器(PSU)必須在實現更高功率密度和效率水平的同時，將能量損失和熱量產生降至最低。此外，在這種高密度服務器解決方案中，散熱問題成為主要關注點，這就要求 PSU 必須將效率放在首位，以最大限度地減少功率浪費并減輕數據中心的散熱負擔。

　　混合功率半導體：突破傳統(tǒng)硅基器件性能瓶頸

　　長期以來，硅在功率電子領域一直占據主導地位。然而，其物理特性限制了它處理高電壓、大電流和高頻信號的能力?；诠璧钠骷缃^緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率 MOSFET，已逐漸接近其理論極限，這使得進一步提高效率和功率密度變得極具挑戰(zhàn)性。隨著對功率輸出需求的不斷增加，維持最高效率變得至關重要，因此需要具有更低導通電阻(RDS (ON))和最小開關損耗的功率器件。

　　盡管硅仍然是最具成本競爭力的技術，但隨著行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新以及對下一代技術的投資不斷增加，氮化鎵和碳化硅的成本預計在未來幾年將大幅下降，使其與傳統(tǒng)的硅基解決方案相比更具競爭力。從材料性能來看，SiC 和 GaN 與 Si 相比具有更高的品質因數(FoM)，這意味著它們在效率和功率密度方面表現更優(yōu)。

　　以輸出電容(Coss)為例，它是衡量開關損耗的關鍵指標。GaN 晶體管的輸出電荷(Qoss)低于硅晶體管，這使得在軟開關電路中能夠實現更短的死區(qū)時間和更高頻率的操作，且不會增加額外的損耗。此外，GaN 晶體管不存在體二極管恢復問題，非常適合用于連續(xù)導通模式(CCM)下的圖騰柱 PFC 電路等硬開關半橋應用，能夠實現極高的效率。由于溝道中不存在少數載流子，GaN 的反向恢復電荷(Qrr)也顯著低于硅晶體管，且其柵極電荷(Qg)和 RDS (ON) 溫度系數也低于超結(SJ)器件，從而在工作溫度下具有更低的傳導損耗。

　　SiC MOSFET 與硅 SJ MOSFET 相比，具有更優(yōu)異的品質因數和關鍵特性，能夠支持新的更高密度和效率的拓撲結構。SiC 器件的一大優(yōu)勢在于其反向恢復電荷(Qrr)遠低于硅晶體管，這使得基于 SiC 的器件能夠用于需要重復反向恢復的拓撲結構，如硬開關半橋和圖騰柱 PFC。此外，SiC MOSFET 的 RDS (ON) 隨溫度的增加幅度較小，使其成為硬開關拓撲中高電流應用的首選。其輸出電荷(Qoss)也比傳統(tǒng)的硅超結 600V 功率晶體管低得多且更線性，在軟開關和硬開關應用中都具有顯著優(yōu)勢，包括零電壓開關(ZVS)所需的更短死區(qū)時間、LLC 諧振階段的更高頻率以及 CCM 圖騰柱階段的硬換相損耗降低。與 SJ MOSFET 相比，其柵極電荷(Qg)更低，這影響著晶體管開關的速度以及在高頻下驅動柵極電路所需的功率。

　　英飛凌混合 PSU 方案：多技術協同實現性能躍升

　　英飛凌將 SiC 和 GaN 技術與現有基于 Si 的設計相結合，在效率、功率密度和整體性能方面帶來了顯著優(yōu)勢。例如，在圖騰柱 PFC 階段使用 GaN 可以實現更高頻率的操作并減少損耗，而在 LLC 諧振階段使用 SiC 則可以實現更高的功率密度和更高的效率。此外，SiC 和 GaN 較低的柵極電荷和 RDS (ON) 溫度系數可以降低傳導損耗并提高整體效率。

　　英飛凌推出的采用 Si/SiC/GaN 功率器件的 PSU 解決方案，旨在滿足 AI 應用的高功率需求，功率額定值高達 12kW，輸出電壓高達 50V DC 總線。這些解決方案實現了 98% 的基準效率，具有高功率密度(如 100W/in3)，并滿足 20ms 的嚴格保持時間要求，支持功率水平高達 300kW 及以上的 AI 機架，同時遵循 ORv3 指南。

　　3kW 解決方案：EVAL_3KW_50V_PSU 評估板于 2021 年發(fā)布，采用前端無橋圖騰柱 PFC 級和隔離式半橋串并聯諧振轉換器(LLC)級。該設計利用 CoolSiC MOSFET 器件，實現了高效率和高功率密度，滿足 OCP 整流器 V3 規(guī)格，峰值效率為 97.5%，功率密度為 32.15W/in3。

　　3.3kW 解決方案：REF_3K3W_HFHD_PSU 參考板采用前端 AC-DC 轉換器，帶有交錯無橋圖騰柱級，后端隔離式 DC-DC 轉換器采用 GaN 半橋 LLC 轉換器。該設計同時使用 CoolSiC 和 CoolGaN 器件，其性能超過 OCP 整流器 V3 規(guī)格，峰值效率為 97.4%，功率密度為 98W/in3。LLC 階段的 GaN 器件允許更快的開關速度和更低的損耗，從而提高效率。此外，PSU 前端 AC-DC 轉換器中的交錯無橋圖騰柱級實現了更高的功率密度和更低的損耗。

　　8kW 解決方案：英飛凌最近推出的 REF_8KW_HFHD_PSU 參考板，專門為滿足 AI 數據中心不斷增長的功率需求而設計。該 PSU 參考板利用每種半導體技術的獨特優(yōu)勢來優(yōu)化性能、尺寸和成本。無橋圖騰柱 PFC 級確保了更高的效率和可靠性，高頻 LLC 級采用 CoolGaN 開關，其電容較低，能夠實現更快的開關和更低的損耗。同時，硅功率開關用于 PFC 和 DC-DC 階段的整流，因為在這些階段開關損耗最小，利用其最低的 RDS (ON) 來最小化傳導損耗。該 PSU 的基準效率為 97.5%，針對減少冷卻工作進行了優(yōu)化，功率密度為 100W/in3，是 ORv3 規(guī)格的兩倍，旨在提供最大性能。

　　12kW 解決方案：英飛凌將其產品組合擴展到包括 12kW PSU，這是一款展示最新電源解決方案的前沿設計。該參考板采用模塊化方法，由兩個 6kW 模塊組成，可以輕松組合以實現所需的功率輸出，從而提高輕載效率并簡化制造。多級拓撲結構允許利用混合功率半導體開關優(yōu)化功率轉換過程的每個階段。DC-DC 轉換階段通過先進的熱管理技術和高性能組件，實現了 100W/in3 的高功率密度，是 ORv3 規(guī)格密度的兩倍?；谟w凌 PSOC 和 XMC 微控制器的數字控制系統(tǒng)，能夠對功率轉換過程進行實時監(jiān)控和控制，并具有預測性維護和遠程監(jiān)控等高級功能，從而在 100W/in3 的功率密度下實現了 97.5% 的基準效率。

　　面向未來：混合技術驅動數據中心綠色高效發(fā)展

　　隨著計算需求的不斷增長，數據中心持續(xù)面臨著在現有空間內提供更多功率的挑戰(zhàn)。英飛凌創(chuàng)新的 PSU 解決方案通過混合組件方法優(yōu)化每個階段，該方法結合了 Si、SiC 和 GaN 技術，實現了高功率密度和效率，具有更高的功率輸出、更低的能量損耗和更好的熱性能。

　　這些強大的 PSU 解決方案的功率額定值從 3kW 到 12kW，基準效率為 97.5%，可以適應各種功率可變的應用，非常適合下一代 AI 數據中心，使 AI 處理器能夠實現最佳性能和最低總擁有成本(TCO)。這種組合不僅帶來了技術優(yōu)勢，還有助于減少數據中心的碳足跡。通過優(yōu)先考慮能源效率和最大限度地減少功率浪費，PSU 有助于減輕全球數據呈指數級增長所帶來的環(huán)境影響。

　　在 AI 技術引領未來的時代，英飛凌的混合半導體 PSU 解決方案為數據中心的電力供應提供了高效、可靠且環(huán)保的技術路徑，有望在推動 AI 算力持續(xù)提升的同時，助力數據中心實現綠色可持續(xù)發(fā)展。