雅科貝思超精密真空產品為高精度檢測提供堅實支撐!

導語: ? 隨著半導體器件特征尺寸縮小、先進封裝三維結構(如 3D NAND、FinFET、GAA 晶體管)檢測難度提升,其高深寬比與復雜形貌曾給傳統(tǒng)檢測帶來聚焦難題與盲區(qū)。而電子束缺陷檢測設備,作為芯片制造的 “高精度顯微鏡”,成功突破技術瓶頸,精準覆蓋全維度檢測、消除盲區(qū),以超高精度保障生產良率,現(xiàn)已成為支撐先進制程、推動半導體產業(yè)升級的核心設備,重要性持續(xù)凸顯。

      半導體電子束缺陷檢介紹

  半導體電子束缺陷檢測設備(E-Beam Inspection, EBI)是一種利用聚焦電子束掃描半導體晶圓表面,通過探測電子與樣品相互作用產生的各種信號(如:二次電子和背散射電子等)來發(fā)現(xiàn)、識別和分析納米尺度缺陷以及電性功能缺陷的高精度儀器,關鍵技術特點在于納米級高分辨率成像、高速掃描、實時圖像處理與智能缺陷分類等,能夠檢測到光學檢測設備無法發(fā)現(xiàn)的微小缺陷。

  由此可見電子束缺陷檢設備技術復雜程度較高,不僅需要精密的設計和制造,還需要同時配備高精度、高速度、高真空、高穩(wěn)定性和多自由度的超精密運動控制系統(tǒng)。

  

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  半導體電子束檢測原理示意圖

  客戶難點

  1、電子束一般采用高加速電壓10kV~200kV來識別納米級缺陷,通常情況下,采用加速電壓越高時檢測分辨率越高,電子束的直進性能更優(yōu),前散射效應也會弱化, 線寬值亦可以更小,由此更易于檢測識別與定位各種納米級缺陷。

  2、在高真空環(huán)境下,電磁干擾會對電子束聚焦精度產生影響,不僅對電機提出了高真空與低釋氣等要求,也對導軌等結構部件提出了磁屏蔽設計等要求。

  3、納米級電子束缺陷檢對缺陷檢設備運動控制系統(tǒng)也提出了更高要求,如:精密運動平臺不僅具備高真空、高掃描速度和高定位精度等特性,同時也要具備多軸協(xié)同與超低速度波動等特性。

  雅科貝思解決方案

  高真空直線電機 —— AWM系列

  采用無鐵芯技術,具有真空兼容,無齒槽力,較大的持續(xù)推力和峰值力,滿足半導體電子束檢測等先進制程設備對高速、超高精度運動的需求。

  產品特點

  ?持續(xù)推力 Fcn = 4.5N ~ 769.1N

  ?峰值推力 Fpk = 22.3N ~ 3845.3N

  ?真空兼容 1×10??Torr

  ?多線圈長度可選

  ?低釋氣

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真空電機AWM系列

  XY超精密運動平臺 —— 真空電子束檢測專用

  運動平臺通過結構拓撲優(yōu)化,使用AWM系列低發(fā)熱真空無鐵芯直線電機,磁軌磁屏蔽設計。以12寸晶圓電子束檢測應用為例,搭配多軸協(xié)同控制算法與振動抑制的驅控系統(tǒng),以及高精度編碼器反饋,極大地提升了整體動態(tài)響應和精度水平。

  產品特點

  ?最大速度 350mm/s

  ?速度波動率<0.4%@100mm/s

  ?靜態(tài)抖動 ±2nm

  ?重復定位精度 ±0.3μm

  ?適用于高真空環(huán)境 1×10??Torr

  

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  XY超精密運動平臺





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