三星閃存芯片首次進入3D晶體管時代

時間:2025-10-27

來源:電子技術應用

導語:10月23日消息,自從Intel首次在22nm工藝節(jié)點引入Finfet晶體管之后,邏輯工藝正式進入3D時代,現(xiàn)在三星也要在閃存芯片上首發(fā)3D晶體管技術了。

  10月23日消息,自從Intel首次在22nm工藝節(jié)點引入Finfet晶體管之后,邏輯工藝正式進入3D時代,現(xiàn)在三星也要在閃存芯片上首發(fā)3D晶體管技術了。

  FinFET是一種3D結構的晶體管,其結構類似魚鰭Fin,進而得名鰭式晶體管,相比傳統(tǒng)的2D平面晶體管優(yōu)點很多,Intel率先在22nm節(jié)點上使用,臺積電三星在14/16nm節(jié)點跟進,如今是先進工藝的基礎結構了。

  存儲芯片因為結構不同,因此多年來還是傳統(tǒng)2D晶體管結構,日前在SEDEX 2025會議上,三星DS設備部門技術長Song Jae-hyuk發(fā)表了主題演講,提到要想實現(xiàn)客戶預期的性能和能效,需要在單位面積內(nèi)堆疊更多的晶體管,3D FinFET就是創(chuàng)新技術的核心之一。

  三星這番表態(tài)意味著將在業(yè)界首次在NAND閃存芯片中使用3D晶體管技術,進一步大幅提升閃存的存儲密度,提高性能。

  閃存用上3D晶體管之后,三星提到了諸多好處,包括信號傳輸速度提升,功耗更低,尺寸更小等等。

  不過三星這番表態(tài)還是技術上的,目前還沒有確定哪款閃存會用上3D晶體管技術,商業(yè)化還要等。


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