SEMIKRON（賽米控）新一代 IGBT產(chǎn)品，SEMiXTM:靈活+可擴展

時間：2006-09-09

來源：賽米控(香港)有限公司

導(dǎo)語：在半橋、斬波、六單元的技術(shù)領(lǐng)域，SEMiXTM 系列廣泛應(yīng)用于電力電子系統(tǒng)中。

在半橋、斬波、六單元的技術(shù)領(lǐng)域，SEMiXTM 系列廣泛應(yīng)用于電力電子系統(tǒng)中。 由于總的高度小 （電源終端高度：17 mm）。 使用相同的芯片，SEMiXTM 模塊可提供的功率容積密度幾乎相當于62-mm 模塊的2倍。SEMiXTM 將首先推出3種模塊尺寸：SEMiXTM 2, SEMiXTM 3 和六單元SEMiXTM 33。SEMiXTM 系列是一種平臺式設(shè)計，可提供適用于各種功率檔的不同尺寸模塊。 SEMiXTM 產(chǎn)品包括600V, 1200V 和1700V IGBT3 trench 技術(shù); 1200V 模塊也采用了IGBT3的平面工藝，電流范圍為200A ～700A。 所用的續(xù)流二極管是一種CAL二極管，具有極高的動態(tài)魯棒性。續(xù)流二極管用于快速開關(guān)和硬開關(guān)。二極管的軟恢復(fù)功能可在整個溫度范圍內(nèi)降低EMC的干擾性。 IGBT模塊系列的主要優(yōu)勢是適用范圍廣：SEMiXTM 不僅支持外部驅(qū)動，而且還支持內(nèi)部驅(qū)動（IPM）。用于外部驅(qū)動時，模塊主要用作標準的插塞式連接器；而用于IPM 的解決方案時，則驅(qū)動是模塊內(nèi)部的一個組成部分。逆變器可用一個六單元或單獨隔熱半橋來設(shè)計。使用半橋設(shè)計大約可減少20%的熱阻抗，如溫度保持恒定不變，則可使負載容量提高15%，或者可使芯片溫度降低10-15°C，從而提高耐久性。 新一代SEMiXTM IGBT產(chǎn)品是特別為中功率和大功率的驅(qū)動器、變頻器設(shè)計的。
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