意法半導(dǎo)體出席了2007年2月11-15日加州舊金山國際固態(tài)電子電路會(huì)議的九個(gè)研討會(huì)，提交的論文將涉及多個(gè)技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域，從在無線連接、存儲(chǔ)器、射頻模塊、基帶信號(hào)和傳感器等領(lǐng)域取得的具體進(jìn)步，到對(duì)納米時(shí)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求的概述。 　　緊扣“IC設(shè)計(jì)的四維”的大會(huì)主題，意法半導(dǎo)體的Crolles2聯(lián)盟負(fù)責(zé)人Hartmann將在大會(huì)開幕這一天宣讀一篇題目為《走向新的納米電子宇宙學(xué)》的特邀論文。這篇論文將審視未來產(chǎn)品進(jìn)一步微型化和通用可制造性設(shè)計(jì)（GDfM）概念所固有的種種挑戰(zhàn)，通用可制造性設(shè)計(jì)概念要求把物理、電學(xué)、機(jī)械和過程的建模和仿真緊密地結(jié)合在一起，即新的納米電子宇宙學(xué)的四維。 　　在射頻模塊研究會(huì)上，ST與卡塔尼亞大學(xué)將介紹一個(gè)采用0.25μm制造工藝的2V CMOS功率放大器，這個(gè)GSM功放芯片輸出功率3W，功率附加效率（PAE）達(dá)到55%。芯片內(nèi)置一個(gè)回路失配保護(hù)機(jī)制，功率放大器在全程輸出范圍內(nèi)支持20:1的負(fù)荷VSWR（電壓駐波比）。通過減少回路響應(yīng)中的低頻極點(diǎn)的數(shù)量，該電路可實(shí)現(xiàn)速度更快的保護(hù)鎖相。ST和Pavia大學(xué)還將介紹一個(gè)創(chuàng)新的3.2 到7.3GHz的磁調(diào)正交振蕩器。因?yàn)樵诘凸β蕳l件下頻譜純度很高，正交振蕩器被廣泛用于窄帶無線通信應(yīng)用。寬帶應(yīng)用目前采用雙振蕩器，但是，本文描述的振蕩器采用一個(gè)基于變壓器磁場(chǎng)控制的調(diào)頻方法，允許在一個(gè)寬廣的范圍內(nèi)連續(xù)改變頻率。 　　在基帶信號(hào)處理研討會(huì)上，由ST、CEA-LETI、法國電信研發(fā)中心和Mitsubitshi Electric ITE-TCL合作的論文將描述一個(gè)集成基帶處理架構(gòu)的FAUST芯片，該架構(gòu)的特點(diǎn)是知識(shí)產(chǎn)權(quán)模塊通過一個(gè)異步片上網(wǎng)絡(luò)（NoC）相互通信，這個(gè)分布式模塊化結(jié)構(gòu)有助于物理實(shí)現(xiàn)和電源管理。這個(gè)20個(gè)節(jié)點(diǎn)的片上網(wǎng)絡(luò)是采用0.13μm CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的，而且滿足電信系統(tǒng)的100Mb/s需求只需79.5mm。 　　在主題為鄰近數(shù)據(jù)和功率傳送的研討會(huì)上，ST、意大利Bologna大學(xué)和柏林弗勞恩霍夫IZM組成的研究小組將展示一個(gè)通過容性互連電路提供三維（3D）片對(duì)片數(shù)據(jù)傳輸?shù)膯蜗蚝碗p向異步發(fā)射和接收電路?；陔娙蓠詈系?D非接觸式數(shù)據(jù)通信是一項(xiàng)前景非常好的技術(shù)，能夠很好地解決當(dāng)前系統(tǒng)芯片因?yàn)殡娐坊ミB問題而受到的制約。本篇論文提出的通信解決方案的單位面積數(shù)據(jù)傳輸速率高于22Mb/s/μm2 ，功耗低于80μW/Gb/s，這是當(dāng)前的解決方案無法達(dá)到的。 　　在傳感器與MEMS研討會(huì)上，一篇由ST、Lecce大學(xué)、Pavia大學(xué)和意大利研究協(xié)會(huì)CNR-IMM合著的論文將論述一個(gè)完整的CMOS集成微系統(tǒng)，用于檢測(cè)地球磁場(chǎng)的方向（全量程數(shù)值大約是60μT）。該系統(tǒng)在測(cè)量角度上實(shí)現(xiàn)4°精度，提供一個(gè)數(shù)字輸出。在±60μT范圍內(nèi)，系統(tǒng)響應(yīng)呈線性，全量程最大非線性誤差大約是3%。 　　在模擬器件和電源管理技術(shù)研討會(huì)上，ST和意大利Brescia大學(xué)將發(fā)布一個(gè)新的非易失性存儲(chǔ)器電荷泵架構(gòu)。與當(dāng)今最先進(jìn)的架構(gòu)相比，ST的電荷泵的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了電壓閾值降，兼容低壓器件和高頻時(shí)鐘信號(hào)，功率效率更高，無需在標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造工藝中引入高壓晶體管。 　　在無線系統(tǒng)發(fā)展趨勢(shì)研討會(huì)上，一篇由ST研究人員和法國IEMN/ISEN, Lille合著的論文將論述一個(gè)含有倒裝片安裝的BAW（聲體波）諧振器的2GHz 0.25μm SiGe BiCMOS振蕩器。這個(gè)電路在100kHz載波偏差時(shí)實(shí)現(xiàn)相噪-124dBc/Hz，同時(shí)在一個(gè)占位面積0.043mm2的IC中，功耗僅為12mW。 　　在非易失性存儲(chǔ)器研討會(huì)上，ST將宣布一個(gè)采用65nm技術(shù)的基于時(shí)間域電壓上升讀概念的1.8V 1Gb 2b/單元NOR閃存。編程方法、架構(gòu)和算法使編程速度達(dá)到2.25MB/s，同時(shí)讀機(jī)制實(shí)現(xiàn)70ns隨機(jī)存取時(shí)間，通過DDR接口的讀吞吐量達(dá)到400MB/s。這個(gè)創(chuàng)新電路使NOR閃存的讀寫速度達(dá)到空前水平，如此高的吞吐量特別適合無線應(yīng)用。