日前，德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中MOSFET與氮化鎵(GaN)功率場效應(yīng)晶體管(FET)使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。LM5114可驅(qū)動(dòng)同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器等低側(cè)應(yīng)用中的GaNFET與MOSFET。該系列加上2011年推出的業(yè)界首款100V半橋GaNFET驅(qū)動(dòng)器LM5113，可為高性能電信、網(wǎng)絡(luò)以及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中使用的大功率GaNFET與MOSFET提供完整的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換驅(qū)動(dòng)器解決方案。
LM5114可通過5V電源電壓的獨(dú)立源極與汲極輸出(sinkandsourceoutput)驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET與GaNFET。它具有使用較大或并行FET的大功率應(yīng)用中所需的7.6A高峰值關(guān)斷電流功能。此外，提高的下拉強(qiáng)度還有助于該器件驅(qū)動(dòng)GaNFET。獨(dú)立源極與汲極輸出可取消驅(qū)動(dòng)器路徑中的二極管，準(zhǔn)確控制升降時(shí)間。
LM5114低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的主要特性與優(yōu)勢(shì)：
可優(yōu)化升降時(shí)間的獨(dú)立源極與汲極輸出支持更高的效率;
+4V至+12.6V單電源支持各種應(yīng)用;
0.23歐姆的開漏下拉汲極輸出可避免無意接通;
7.6A/1.3A峰值汲極/源極驅(qū)動(dòng)器電流可最大限度減少電壓突變(DV/DT)的影響;
匹配反相及非反相輸入之間的延遲時(shí)間，可降低停滯時(shí)間損耗;
12ns典型傳播延遲可在提高效率的同時(shí)，支持高開關(guān)頻率;
高達(dá)14V的邏輯輸入(不受VCC影響);
-40攝氏度至+125攝氏度的寬泛工作溫度。
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