LED領(lǐng)域全球?qū)＠暾?qǐng)共計(jì)約十二萬(wàn)余件，其中在日本的專利申請(qǐng)量最多，其次為美國(guó)和中國(guó)，各主要國(guó)家和地區(qū)LED領(lǐng)域的專利申請(qǐng)都已突破一萬(wàn)件。
根據(jù)LED的技術(shù)特點(diǎn)和行業(yè)劃分習(xí)慣，一般將LED領(lǐng)域分成襯底、外延、芯片、封裝、應(yīng)用等部分。LED全球?qū)＠夹g(shù)結(jié)構(gòu)布局情況如圖所示，專利申請(qǐng)40%集中在封裝，其次為應(yīng)用(26%)和外延(17%)領(lǐng)域，襯底和白光的專利最少。襯底領(lǐng)域的專利25%集中在藍(lán)寶石，其次為砷化鎵(17%)，硅(16%)，氮化鎵(10%)等;外延領(lǐng)域的專利。
從有源層材料看，86%集中在III-V族，從功能層來(lái)看75%集中在n型層，p型層和有源層，其次為覆蓋層和緩沖層(16%)，在電流擴(kuò)展層和歐盟接觸層等技術(shù)分支申請(qǐng)較少；芯片領(lǐng)域的專利39%集中在電極設(shè)計(jì)技術(shù)，其次為反射膜技術(shù)(16%)、微結(jié)構(gòu)技術(shù)(12%)、芯片外形技術(shù)(11%)、襯底鍵合剝離技術(shù)(11%)，在劃片、增透膜技術(shù)、鈍化技術(shù)等申請(qǐng)較少；封裝領(lǐng)域的專利63%集中在基板和封裝體，其次為散熱(15%)、電極互連(13%)和熒光體(7%)。專利申請(qǐng)多集中在封裝和應(yīng)用領(lǐng)域，這表明LED技術(shù)相對(duì)比較成熟，開(kāi)始進(jìn)入應(yīng)用階段。
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