德州儀器推出面向手持式設備的雙電壓電平 200mA LDO
企業(yè)信息
普通會員第20年
公司類型: 生產(chǎn)商
主運營:半導體器件、數(shù)字信號處理、工控機、可編程序控制器等
所在地區(qū):上海市
注冊時間:2006-09-25
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產(chǎn)品新聞
產(chǎn)品介紹
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首款支持簡單動態(tài)電壓縮放的雙電平 200mA 低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器,該產(chǎn)品采用了微小型五球柵芯片級封裝。該器件具備很高的靈活性,對那些需要雙級輸出穩(wěn)壓、通過更大存儲器支持 eFUSE 或 SIM 卡編程的應用而言非常適用,能滿足無線手持終端、PDA、智能電話、MP3 播放器以及其它手持式設備的需求。
TI 新型 TPS728185315 LDO 支持 230 mV 超低壓降,其輸入電壓范圍為 2.7 V 至 6.5 V,固定輸出電壓范圍在 0.9 V 至 3.6 V 之間。LDO 的 EEPROM 預設電壓選項為 1.85 V 與 3.15 V。LDO 可幫助設計人員設置 eFUSE 與 SIM 卡的可切換電壓,比方說可就熔絲編程或SIM卡檢測提供較高電壓,也可在編程結束時提供較低電壓。設計人員可在一定時間內(nèi)在兩種電壓之間進行切換,不會出現(xiàn)過沖與下沖問題。動態(tài)電壓縮放還有助于降低漏電流,確保廣泛應用于便攜式應用中的集成百萬晶體管的亞微米處理器(如 TI 超低功耗 MSP430 微控制器)都能高效工作。
集成式高精度帶隙與誤差放大器在不同負載、線路與溫度極限條件下的整體誤差不超過 2.5%。TPS728185315 在高達 1 MHz 寬頻率范圍內(nèi)不僅實現(xiàn)了高電源紋波抑制比 (PSRR) 與 160 µs 啟動時間,而且線路與負載瞬態(tài)響應相當出色。該器件可全面設置于 -40º C 至 125º C 的工作溫度范圍內(nèi)。
[b]TPS728185315 的關鍵特性:
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• 雙通道 200mA LDO 穩(wěn)壓器;
• 提供從 0.9 V 至 3.6 V 的多種固定輸出電壓組合,采用出廠 EEPROM 編程;
• VSET 引腳能在兩種預設電平間切換輸出電壓;o 預設輸出電壓電平可通過 EEPROM 編程為任意組合;
• 高 PSRR:1 kHz 時為 65 dB;
• 不同負載、線路與溫度條件下的誤差不超過 2.5%;
• 與 1.0μF 陶瓷電容器保持穩(wěn)定工作狀態(tài);
• 熱關斷與過流保護;
• 低 IQ:有源模式下為 50 μA;
• 低壓降:200 mA 下為 230 mV。


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