產品頻道

編者按：東芝推出43nm的SLC NAND閃存——引進行業(yè)內最高密度的SLC NAND16Gb芯片和改進的SLC產品 2008年10月29日,北京）東芝今天宣布推出43nm單層存儲單元（SLC）的NAND閃存，產品容量從512Mb到64Gb，共有16種系列。新產品包括16Gb、32Gb和64Gb三種，結合采用43nm制程技術的單16Gb芯片，這是市場上最高密度的芯片。新產品將從2009年第1季度開始逐步進入市場。 SLC芯片讀寫次數多，且讀寫速度快，可靠性高。東芝開發(fā)新型SLC產品是為了滿足不斷變化的市場應用需求，改進型產品系列可以滿足需要高讀寫速度與可靠性的移動電話、平板電視、辦公自動化設備和服務器等的需求。 近年來，東芝公司通過加速用于記憶卡和MP3播放器等市場的大容量數據存儲的高密度多層存儲單元（MLC）芯片的開發(fā)，推動了NAND閃存市場的發(fā)展。采用56nm和70nm制程技術的SLC芯片生產受到限制。東芝將通過采用更大范圍的適合高水平數據存儲的SLC閃存系列，不斷擴大其滿足不同嵌入式應用需求的高增值產品，通過先進制程技術的應用，推進量產。 新產品概要 新產品主要特征 1.運用領先的43nm制程技術和增加數據存儲的先進技術，將每塊芯片的容量提升到了以往56nm的SLC產品的2倍。從而為需要更高性能和可靠性的設備提供服務。 2.與MCL NAND閃存相比，新產品的寫入速度約為2.5倍＊。 ＊ 16Gb的MLC和SLC產品比較 注：8位=1字節(jié) <16GB產品>