產品頻道

2009 年 1 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET ——- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時具有導通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。 SiA850DJ 的典型應用將包括面向高壓壓電電動機的升壓直流到直流轉化器以及手機、PDA、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備中的有機 LED（OLED）背光。 將 MOSFET 及功率二極管整合到同一封裝可幫助設計人員節(jié)約至少三分之一的 PCB 面積，同時由于無需使用外部二極管，因此可降低解決方案成本。較大器件在 2.5V 時達到導通電阻額定值，而 SiA850DJ 在 1.8V 時便可達到導通電阻額定值，由于無需使用電平位移電路，這進一步節(jié)約了板面空間。該器件的導通電阻值范圍介于 1.8V VGS 時 17Ω～4.5V VGS時 3.8Ω，0.5A 時二極管正向電壓為 1.2 V。 SiA850DJ 100% 無鉛（Pb），無鹵素，并且符合 RoHS規(guī)范，因此符合有關消除有害物質的國際法規(guī)要求。 目前，新型 SiA850DJ 的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。 VISHAY SILICONIX簡介 Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業(yè)內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET（LITTLE FOOT®）。 創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK®） 和更小空間（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。 Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。 VISHAY簡介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com