產(chǎn)品頻道

　　2009年12月15日 首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應用。

　　NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。

　　安森美半導體汽車電源產(chǎn)品總監(jiān)Jim Alvenaz說：“汽車中的電子成分持續(xù)增加，需要提供能幫助減少元器件數(shù)量及節(jié)省珍貴電路板空間的半導體方案。安森美半導體的NCV840x系列幫助設計人員達到這些目的，提供強固的系統(tǒng)設計足以配合汽車嚴峻的應用環(huán)境?！?/p>

　　特性及優(yōu)勢

　　NCV840x驅(qū)動器能用于多種電阻型、電感型及電容型負載的開關(guān)，使設計人員能夠以更緊湊、更強固及工作壽命更長的另一選擇，替代機電式繼電器或分立電路。所有這些器件都提供邏輯電平輸入。

　　NCV8401、NCV8402D及NCV8403的額定漏極至源極電壓(VDSS)為42伏特(V)，最大漏極電流(ID)分別為33安培(A)、2 A和15 A。NCV8405的VDSS為40 V，最大額定ID為6 A。所有這些器件的柵極至源極電壓(VGS)為±14 V。

　　這新系列的所有器件均提供低導通阻抗(RDS(ON))值，幫助實現(xiàn)更高能效的系統(tǒng)設計。NCV8401、NCV8402D、NCV8403及NCV8405在10 V的RDS(ON)值分別為23毫歐(mΩ)、165 mΩ、53 mΩ和90 mΩ。

　　這些器件都提供−40 °C至150 °C的寬工作溫度范圍及高靜電抑制等級(25°C結(jié)溫時為4,000 V)。當VGS為5 V及10 V時，關(guān)閉溫度限制分別設定在175⁰C及165⁰C。

　　封裝及價格

　　NCV840x器件采用無鉛SOT-223、DPAK及SOIC8封裝，批量每1,000片的單價介于0.25美元至0.58美元之間。

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關(guān)于安森美半導體(ON Semiconductor)

　　安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡和強大的產(chǎn)品系列，是應用于綠色電子產(chǎn)品的首選高性能、高能效硅方案供應商，幫助計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車、工業(yè) 、醫(yī)療和軍事/航空市場之設計人員快速提升電子產(chǎn)品的系統(tǒng)能效，且符合高性價比。公司的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業(yè)務網(wǎng)絡。欲查詢公司詳情，請瀏覽安森美半導體網(wǎng)站：http://www.onsemi.cn 。