

意法半導(dǎo)體(ST)推出全新功率MOSFET產(chǎn)品STW77N65M5
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全球領(lǐng)先的功率MOSFET器件供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM)推出一款全新功率MOSFET產(chǎn)品,為設(shè)計工程師帶來更多選擇。新產(chǎn)品 STW77N65M5采用意法半導(dǎo)體的超高能效MDmesh™ V制造工藝和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247 封裝,是業(yè)內(nèi)通態(tài)電阻最低的650V MOSFET產(chǎn)品。
意法半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示:“MDmesh V 系列產(chǎn)品整合了意法半導(dǎo)體專屬的第五代超結(jié)技術(shù),和經(jīng)過應(yīng)用驗(yàn)證的 PowerMESH™ 水平布局設(shè)計,產(chǎn)品性能優(yōu)于同類競爭產(chǎn)品。無論采用何種封裝,業(yè)界最低的單位芯片面積RDS(ON)都能提供能效優(yōu)勢。設(shè)計人員使用很少數(shù)量的MDmesh V器件即可替代多路并聯(lián)的普通MOSFET網(wǎng)絡(luò),提高設(shè)計性能,降低總體尺寸?!?/p>
這款新器件是STW77N65M5,通態(tài)電阻RDS(ON)為38mΩ,采用TO-247封裝。意法半導(dǎo)體計劃在2010年推出采用Max247封裝的22mΩRDS(ON)的STY112N65M5。在今年初的MDmesh V超結(jié)MOSFET技術(shù)發(fā)布會上,意法半導(dǎo)體公布開發(fā)藍(lán)圖時曾介紹過這兩款產(chǎn)品。STW77N65M5的最大輸出電流額定69A,現(xiàn)已全面投入量產(chǎn)。
與常規(guī)MOSFET產(chǎn)品和競爭的超結(jié)器件相比,意法半導(dǎo)體的MDmesh V技術(shù)的單位芯片面積通態(tài)電阻最低。更低的損耗給設(shè)計帶來很多好處,包括提高能效、更高的功率密度和更低的工作溫度,最終可提高目標(biāo)應(yīng)用的可靠性,如個人電腦和服務(wù)器的電源、太陽能轉(zhuǎn)換器、電焊電源和不間斷電源設(shè)備,導(dǎo)通損耗是影響這些應(yīng)用能效的要素之一。
在強(qiáng)調(diào)超低通態(tài)損耗的同時,這些器件還實(shí)現(xiàn)了低開關(guān)損耗,使各種應(yīng)用能夠在不同的工作條件下提高總體能效。MDmesh V功率MOSFET采用主流的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝,包括 TO-220、TO-220FP、I2PAK、D2PAK、DPAK和IPAK。
TO-247封裝的STW77N65M5現(xiàn)接受生產(chǎn)訂單。
詳情請訪問:www.st.com/mdmeshv
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意法半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,為各種應(yīng)用領(lǐng)域的電子設(shè)備制造商提供創(chuàng)新的解決方案。憑借公司掌握的大量技術(shù)、設(shè)計能力和知識產(chǎn)權(quán)組合、戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系和制造實(shí)力,意法半導(dǎo)體矢志成為多媒體融合和功率應(yīng)用領(lǐng)域無可爭議的行業(yè)領(lǐng)袖。2008年,公司凈收入98.4億美元。詳情請訪問意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 www.st.com 或意法半導(dǎo)體中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn

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