產品頻道

      可檢測涂氮晶片
      · 激光定位傳感器具有危險，由于當從內部負載孔定位時，激光光軸未達到FOUP直接射向操作員。使用LED光源的M-DW1比原先的激光光軸定位傳感器更安全。
      · 涂氮晶片根據涂層厚度以一定波長吸收光線。如果傳感器使用具有單個波長的傳感器，光軸可能被完全吸收，導致晶片檢測錯誤。M-DW1使用的LED光源的波長帶比較寬，所以可始終成功地檢測涂氮晶片。
      · 根據反射光線的數量進行的晶片檢測可能有時會由于晶片邊緣的形狀而發(fā)生錯誤。M-DW1在受光部分使用2個分隔的受光二極體，通過反射光線的位置而不是數量檢測晶片。因此，傳感器受晶片厚度或反射光線數量的影響較小。

      晶片定位檢測
      ·中心測量距離：45mm
      ·電源電壓：12～24V DC±10%
      ·檢測物體：3英寸以上半導體晶片
      ·輸出： NPN開路集電極晶體管(最大100mA)或PNP開路集電極晶體管(最大100mA)通過切換開關選擇