產品頻道

該器件是采用TO-247封裝的600V、47A器件，具有15.12Ω-nC的導通電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 11 月 4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。

      柵極電荷與導通電阻的乘積是用于功率轉換應用中MOSFET的優(yōu)值系數(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業(yè)界此類器件當中最低的。

      SiHG47N60S的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在太陽能電池和風力發(fā)電機的逆變器、通信、服務器和電機控制電源應用中的逆變器電路和脈寬調制(PWM)全橋拓撲中節(jié)約能源。

      新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術制造，這種技術為減小通態(tài)電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，為保證可靠工作進行了完備的雪崩測試。

      新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。