物理特性 |
尺寸(寬×高×深) |
196×80×62mm |
功耗 |
12W |
存儲(chǔ)器特性 |
程序存儲(chǔ)器 |
3000步邏輯指令
|
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 |
2.5KB
|
掉電保持 |
50年(內(nèi)部EEPROM)
|
常規(guī)特性 |
定時(shí)器數(shù)
1ms
10ms
100ms
|
4
18
44
|
計(jì)數(shù)器總數(shù) |
32 |
內(nèi)存存貯器位 |
256 |
時(shí)間中斷 |
2×1ms分辨率 |
模擬電位器 |
2個(gè)8位分辨率 |
布爾量運(yùn)算執(zhí)行時(shí)間 |
0.15µs |
浮點(diǎn)運(yùn)算執(zhí)行時(shí)間 |
8µs |
實(shí)時(shí)時(shí)鐘 |
內(nèi)置 |
電源供應(yīng)
+5V
24V
|
660mA
400mA
|
集成的通信功能 |
通訊接口 |
2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)RS232(或標(biāo)準(zhǔn)RS485) |
波特率 |
9.6K至115.2K |
通訊協(xié)議 |
MODBUS-RTU或自由口通訊 |
I/O特性 |
本機(jī)數(shù)字量輸入點(diǎn)數(shù) |
24 |
輸入類型 |
漏型/源型 |
本機(jī)數(shù)字量輸出點(diǎn)數(shù) |
16 |
輸出類型 |
固態(tài)——MOSFET |
數(shù)字I/O映象區(qū) |
256(128輸入/128輸出) |
模擬I/O映象區(qū) |
16(8輸入/8輸出) |
允許最大擴(kuò)展I/O模塊數(shù) |
7 |
最大數(shù)字量I/O配置 |
248DI/DO
|
最大模擬量I/O配置 |
8AI/8AO
|
脈沖捕捉輸入 |
14 |
脈沖輸出 |
1×10KHz |
高速計(jì)數(shù)器
總數(shù)
單相計(jì)數(shù)器
兩相計(jì)數(shù)器
|
2
2×20KHz
2×20KHz
|
數(shù)字量輸入特性 |
本機(jī)集成數(shù)字量輸入點(diǎn)數(shù) |
24 |
輸入類型 |
漏型/源型 (IEC 類型1/漏型) |
額定電壓 |
24V DC |
最大持續(xù)允許電壓 |
30V DC |
邏輯1信號(hào) ( 最小) 邏輯0信號(hào) ( 最大) |
18 VDC,2.5mA 5 VDC,1mA |
隔離(現(xiàn)場(chǎng)與邏輯) 光電隔離 隔離組 |
有 500V AC,1分鐘 見(jiàn)接線圖 |
同時(shí)接通的輸入 |
24 |
最大電纜長(zhǎng)度 屏蔽
非屏蔽 |
500米(標(biāo)準(zhǔn)輸入) 50米(高速計(jì)數(shù)器輸入) 300米(標(biāo)準(zhǔn)輸入) |
數(shù)字量輸出特性 |
本機(jī)集成數(shù)字量輸出點(diǎn)數(shù) |
16 |
輸出類型 |
固態(tài) - MOSFET(源型) |
額定電壓 |
24V DC |
輸出電壓范圍 |
20.4至 28.8 VDC |
邏輯1信號(hào)(最小) 邏輯0信號(hào)(最大) |
20 VDC,最大電流 0.1 VDC,10KW 負(fù)載 |
每點(diǎn)額定電流(最大) 每個(gè)公共端的額定電流(最大) 漏電流(最大) 浪涌電流(最大) |
0.75A 6A 10μA 8A,100ms |
燈負(fù)載(最大) |
5 W |
接通電阻(接點(diǎn)) |
典型值0.3 歐姆,最大值0.6歐姆 |
隔離(現(xiàn)場(chǎng)與邏輯) 光電隔離 隔離組 |
有 500V AC,1分鐘 見(jiàn)接線圖 |
延時(shí)(最大) 斷開(kāi)到接通 接通到斷開(kāi) |
2ms(Q0.0),15ms(其它) 10ms(Q0.0),130ms(其它) |
脈沖頻率(最大) |
10KHz(Q0.0) |
同時(shí)接通的輸出 |
16 |
兩個(gè)輸出并聯(lián) |
是,僅輸出同組時(shí) |
最大電纜長(zhǎng)度 屏蔽 非屏蔽 |
500米(標(biāo)準(zhǔn)輸出) 150米(標(biāo)準(zhǔn)輸出) |