

Vishay 推出的下一代D系列MOSFET
企業(yè)信息
賓夕法尼亞、MALVERN—2012年5月3日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600Vn溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A~36A電流,采用多種封裝。
今天發(fā)布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術(shù),使效率和功率密度達到新的水平。器件的條帶設(shè)計加上更小的裸片尺寸和端接,使柵極電荷比前一代方案低50%,同時提高了開關(guān)速度,降低了導通電阻和輸入電容。
400V、500V和600V器件的導通電阻分別為0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的導通電阻意味著極低的傳導和開關(guān)損耗,能夠在服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、等離子切割、電池充電器、熒光燈、高強度放電(HID)照明、半導體設(shè)備和電磁加熱的高功率、高性能開關(guān)電源應(yīng)用中節(jié)約能源。
D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的柵極電荷分別為9nC、6nC和45nC,具有最佳的柵極電荷與導通電阻乘積,該值是用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)(FOM),400V、500V和600V器件的FOM分別為7.65Ω-nC、15.6Ω-nC和12.3Ω-nC。
新的D系列MOSFET采用簡單的柵極驅(qū)動電路、非常耐用的本體二極管,易于設(shè)計到更緊湊、更輕、發(fā)熱更少的終端產(chǎn)品中。器件符合RoHS指令,符合IEC61249-2-21的無鹵素規(guī)定,雪崩(UIS)定級讓器件能夠穩(wěn)定可靠地工作。
器件規(guī)格表:
型號 |
電壓 (V) |
ID @ 25 ºC (A) |
RDS(ON) @ max 10 V (Ω) |
Qg 典型值 (nC) |
封裝 |
SiHP6N40D |
400 |
6 |
1.0 |
9 |
TO-220 |
SiHF6N40D |
400 |
6 |
1.0 |
9 |
TO-220F |
SiHP10N40D |
400 |
10 |
0.55 |
15 |
TO-220 |
SiHF10N40D |
400 |
10 |
0.55 |
15 |
TO-220F |
SiHG25N40D |
400 |
25 |
0.17 |
44 |
TO-247 |
SiHP25N40D |
400 |
25 |
0.17 |
44 |
TO-220 |
SiHU3N50D |
500 |
3 |
3.0 |
6 |
IPAK/TO-251 |
SiHD3N50D |
500 |
3 |
3.0 |
6 |
DPAK/TO-252 |
SiHD5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
DPAK/TO-252 |
SiHP5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
TO-220 |
SiHF5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
T-Max® |
SiHU5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
IPAK/TO-251 |
SiHP8N50D |
500 |
8 |
0.85 |
15 |
TO-220 |
SiHF8N50D |
500 |
8 |
0.85 |
15 |
TO-220F |
SiHP14N50D* |
500 |
14 |
0.40 |
30 |
TO-220 |
SiHG14N50D* |
500 |
14 |
0.40 |
30 |
TO-247AC |
SiHF18N50D* |
500 |
18 |
0.27 |
37 |
TO-220F |
SiHG460B/IRFP460B |
500 |
20 |
0.25 |
85 |
TO-247AC |
SiHG22N50D* |
500 |
22 |
0.23 |
52 |
TO-247AC |
SiHG32N50D* |
500 |
32 |
0.16 |
72 |
TO-247AC |
SiHS36N50D* |
500 |
36 |
0.13 |
92 |
Super TO-247 |
SiHP17N60D |
600 |
17 |
0.34 |
45 |
TO-220 |
SiHG17N60D |
600 |
17 |
0.34 |
45 |
TO-247AC |
目標標準,產(chǎn)品即將面世
新的D系列MOSFET現(xiàn)可提供樣品,將在2012年3季度實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。
VISHAY簡介
VishayIntertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。

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