時間:2007-12-11 13:36:00來源:lijuan
圖1 微水刀激光原理[/align]
低壓純凈水從水腔左邊進(jìn)入,經(jīng)鉆石噴嘴(Diamond Nozzle)上的微孔噴出。由于噴嘴考慮到流體力學(xué)的設(shè)計,出來的水柱像光纖一樣既直又圓。水柱的直徑根據(jù)噴嘴孔徑而異,一般比人的頭發(fā)還細(xì),有100~30 μm多種規(guī)格。激光被導(dǎo)入水柱中心,利用微水柱與空氣界面全反射的原理,激光將沿著水柱行進(jìn)。在水柱維持穩(wěn)定不開花的范圍內(nèi)都能進(jìn)行加工。通常有效的工作距離為噴嘴孔徑的l 000倍。如噴嘴為100 μm,則其有效工作距離為1 00mm。這是傳統(tǒng)激光所望塵莫及的,因為傳統(tǒng)激光只能在焦點(diǎn)處加工。激光光源可選配不同的波長,只要該波長的能量不會被水吸收即可。精密加工常用的波長,1 064~355 nm。
另外,用于微加工的激光幾乎都是脈沖激光(Pulsed Laser),傳統(tǒng)激光不論是脈沖或連續(xù),總會有能量殘留在切割道上,該能量的累積和傳導(dǎo)是造成燒傷切割道旁熱損傷的主要原因。而微水刀激光因水柱的作用,將每個脈沖殘留的熱量迅速帶走,不會累積在工件上,因此切割道干凈利落。熱影響區(qū)的困擾得到大幅改善。因此,Laser MicroJet技術(shù)才適用于半導(dǎo)體等高精密的應(yīng)用。
3.2 特點(diǎn)
相對于傳統(tǒng)激光,微水刀激光有很多顯著的特點(diǎn)。如無熱影響區(qū)(Zero Heat Affected Zone),完全不燒傷工件,切割道干凈利落、無熔渣、無毛刺、無熱應(yīng)力、無機(jī)械應(yīng)力、無污染,極適合半導(dǎo)體、電子、醫(yī)療、航天等高精密器件切割加工。
微水刀激光適用于從金屬到其合金的多種材料,如不銹鋼、鈦、鉬、鎂、鎳、銅、Invar等,以及硅(Silicon)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)等半導(dǎo)體材料,乃至碳化硅(Sic)、CBN、鉆石、陶瓷、橡膠……軟硬通吃。甚至可同時切割橡膠及不銹鋼片而不燒傷橡膠層,這在傳統(tǒng)激光是完全不可能的事情。
該項技術(shù)可用于切割、鉆孔、挖槽、打印、表面熱處理等多項極細(xì)微及復(fù)雜的形狀加工。超薄硅片(Ultra Thin Silicon Wafer)切割速度比傳統(tǒng)鉆石刀快5~10倍,并且可以切任意形狀,功能超強(qiáng),在半導(dǎo)體芯片切割的應(yīng)用上,突破了多年來芯片劃片只能走直線的桎錮。從此設(shè)計者可以毫無限制地發(fā)揮其創(chuàng)意。
從圖2、圖3兩張不銹鋼切割的照片可清楚地看出熱影響區(qū)(HAZ)大小所造成的差異。傳統(tǒng)激光因熱影響區(qū)過大,無法進(jìn)行精微切割,大大限制了其應(yīng)用領(lǐng)域。
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圖 2 不銹鋼片以傳統(tǒng)激光切割 熱耦傳嚴(yán)重
圖 3 不銹鋼片微水刀激光切割[/align]
微水刀激光(Laser Micro Jet)以其優(yōu)異的斷熱切割技術(shù),大幅開拓精密微加工的領(lǐng)域,催生了許多新產(chǎn)品、新工藝。
4 低介電系數(shù)材料和超薄晶圓的劃片問題
原來只用于高階產(chǎn)品的超薄晶圓(Ultra thin wafer)已經(jīng)越來越普及,而且越來越薄。處理超薄晶圓不僅是Silicon substrate本身厚度的問題,在加上許多硬脆易碎及延展性高的金屬Pad后,問題更加復(fù)雜。鉆石刀片既使小心翼翼地切過Silicon substrate,但金屬層的碎屑卻可能包粘在鉆石顆粒上,使切削能力大打折扣。此時若維持進(jìn)刀速度,必然造成破片斷刀的結(jié)果。各主要劃片機(jī)廠,如Disco、TSK.等均轉(zhuǎn)向激光,由此可見機(jī)械方式已經(jīng)到了克服不了的困境。不幸的是激光也有激光的問題。在此,就鉆石刀片,傳統(tǒng)激光及微水刀激光的特性探討如下:
4.1 鉆石刀片
易造成wafer表面崩邊或龜裂。遇金屬層易斷刀破片,切割速度慢,破片率高。但在切割Silicon substrate時斷面平整,深度控制容易。在使用DAF(Die Attach Film)時可正好切穿DAF而不傷Blue Tape。
4.2 傳統(tǒng)激光
傳統(tǒng)激光(Conventional Laser)或稱干式激光(Dry Laser),因為熱影響區(qū)的問題未克服,僅能用在低階芯片,如太陽能芯片等。采用3倍頻方式雖然有改善,但也只能劃劃線。如果切穿同樣燒傷芯片和DAF及Blue Tape。
4.3 微水刀激光
可以輕易去除切割道表層材料及Silicon substrate。切割超薄片(50 μm)時速度比diamond saw快數(shù)倍。缺點(diǎn)為與干式激光同樣會燒壞DAF,切割斷面不如機(jī)械磨削光滑。
從上述看來各有所長,也各有缺陷。
4.4 解決方案
既然沒有十全十美的方法,只好退而求其次。對Diamond Saw而言,難解決的是Wafer的表層材料。對微水刀激光而言,頭痛的是會燒壞DAF。因此如各取所長,分成2個步驟處理,就差強(qiáng)人意。
首先用微水刀激光劃淺淺的一刀,加工手段上稱之為開槽(Grooving),以清除切割道上所有的材料,不管是金屬或易碎材料。微水刀激光可以選用與切割道(Cutting Street)同寬的噴嘴,像推土機(jī)一樣一次推掉表層上各種找麻煩的材料,露出Silicon Substrate。再接著用Diamond Saw切穿silicon substrate和DAF,并剛好停在 Blue Tape表面上。
因為Grooving 只能去除表層幾十微米的深度,微水刀激光可以250 mm/s的高速進(jìn)行。就生產(chǎn)線的平衡來看,一臺微水刀激光系統(tǒng)需至少5臺以上Diamond Saw與之配合才消化得掉。
從設(shè)備投資的角度來看,這似乎是最有效益的方式。不僅不會因為引進(jìn)新設(shè)備而閑置舊機(jī)器,反而會提高產(chǎn)能,真正相輔相成,相得益彰。
微水刀激光尚可從事異型晶粒切割,打通孔或盲孔等鉆石刀具作不了的事情,見圖4、圖5。
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圖 4 Silicon wafer 激光打孔
圖 5 較大顯微鏡照片孔徑100微米
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5 瑞士喜諾發(fā)公司之半導(dǎo)體晶圓劃片系列
全系列均配備高精度線性滑軌及CNC控制,TFT LCD觸控螢?zāi)患跋冗M(jìn)人機(jī)界面軟件,CCD Camera,自動視覺瞄準(zhǔn),遠(yuǎn)端通訊診斷??汕腥魏涡螤钇妨#缌切?,圓形和不規(guī)則形。
5.1 設(shè)備介紹
(1)LDS 200A/LDS:300A。LDS 200A/LDS:300A一全自動200 mm/300 mm硅片水刀激光切割系統(tǒng),Cassette to Cassette,自動視覺系統(tǒng)對位,切割,清潔,進(jìn)退料一氣呵成。適合連續(xù)人量生產(chǎn)。住超薄硅片切割之表現(xiàn)比傳統(tǒng)鉆石刀切割方式快數(shù)倍。
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