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芯片制造的10大關(guān)鍵工藝步驟

時(shí)間:2021-06-24 17:15:11來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):?芯片制造的10大關(guān)鍵工藝步驟介紹。

  1、沉積

  制造芯片的第一步,通常是將材料薄膜沉積到晶圓上。材料可以是導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體。

  2、光刻膠涂覆

  進(jìn)行光刻前,首先要在晶圓上涂覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”,然后將晶圓放入光刻機(jī)。

  3、曝光

  在掩模版上制作需要印刷的圖案藍(lán)圖。晶圓放入光刻機(jī)后,光束會(huì)通過(guò)掩模版投射到晶圓上。光刻機(jī)內(nèi)的光學(xué)元件將圖案縮小并聚焦到光刻膠涂層上。在光束的照射下,光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),光罩上的圖案由此印刻到光刻膠涂層。

  4、計(jì)算光刻

  光刻期間產(chǎn)生的物理、化學(xué)效應(yīng)可能造成圖案形變,因此需要事先對(duì)掩模版上的圖案進(jìn)行調(diào)整,確保最終光刻圖案的準(zhǔn)確。ASML將現(xiàn)有光刻數(shù)據(jù)及圓晶測(cè)試數(shù)據(jù)整合,制作算法模型,精確調(diào)整圖案。

  5、烘烤與顯影

  晶圓離開(kāi)光刻機(jī)后,要進(jìn)行烘烤及顯影,使光刻的圖案永久固定。洗去多余光刻膠,部分涂層留出空白部分。

  6、刻蝕

  顯影完成后,使用氣體等材料去除多余的空白部分,形成3D電路圖案。

  7、計(jì)量和檢驗(yàn)

  芯片生產(chǎn)過(guò)程中,始終對(duì)晶圓進(jìn)行計(jì)量和檢驗(yàn),確保沒(méi)有誤差。檢測(cè)結(jié)果反饋至光刻系統(tǒng),進(jìn)一步優(yōu)化、調(diào)整設(shè)備。

  8、離子注入

  在去除剩余的光刻膠之前,可以用正離子或負(fù)離子轟擊晶圓,對(duì)部分圖案的半導(dǎo)體特性進(jìn)行調(diào)整。

  9、視需要重復(fù)制程步驟

  從薄膜沉積到去除光刻膠,整個(gè)流程為晶圓片覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片上形成集成電路,完成芯片制作,這一流程需要不斷重復(fù),可多達(dá)100次。

  10、封裝芯片

  最后一步,切割晶圓,獲得單個(gè)芯片,封裝在保護(hù)殼中。這樣,成品芯片就可以用來(lái)生產(chǎn)電視、平板電腦或者其他數(shù)字設(shè)備了!

標(biāo)簽: 芯片

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