TOPCON電池前表面與常規(guī)N型太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)相同，主要區(qū)別在電池背面制備一層超薄氧化硅，然后再沉積一層摻雜硅薄層，二者共同形成了鈍化接觸結(jié)構(gòu)，有效降低表面復(fù)合和金屬接觸復(fù)合。

　　由于超薄氧化硅和重?fù)诫s硅薄膜良好的鈍化效果使得硅片表面能帶產(chǎn)生彎曲，從而形成場(chǎng)鈍化效果，電子隧穿的幾率大幅增加，接觸電阻下降，最終提升轉(zhuǎn)換效率。

　　TOPCon電池的優(yōu)勢(shì)

　　1、鈍化優(yōu)勢(shì)：表面鈍化性能主要取決于化學(xué)鈍化和場(chǎng)鈍化，熱生長(zhǎng)的SiO2具有優(yōu)異的化學(xué)鈍化能力。多晶硅中的重?fù)诫s可以誘導(dǎo)硅的能帶發(fā)生彎曲，造成界面處多數(shù)載流子的聚集和少數(shù)載流子的耗盡，降低復(fù)合，發(fā)揮場(chǎng)鈍化的作用。

　　2、金屬接觸復(fù)合優(yōu)勢(shì)：金屬接觸復(fù)合成為限制常規(guī)結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池效率的瓶頸。產(chǎn)業(yè)化中金屬化方式通常為絲網(wǎng)印刷后進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，高溫?zé)Y(jié)的過(guò)程中金屬漿料會(huì)“刻蝕”poly-Si形成“穿刺”(Spiking)，破壞鈍化接觸結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致金屬接觸區(qū)域的J0c高于鈍化區(qū)域。但p+ poly和n+ poly的金屬接觸復(fù)合，即使“穿刺”會(huì)破壞鈍化接觸結(jié)構(gòu)的情況下也可以使金屬?gòu)?fù)合遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于常規(guī)發(fā)射極/背場(chǎng)。

　　3、金屬接觸電阻率優(yōu)勢(shì)：除金屬接觸復(fù)合外，金屬-半導(dǎo)體接觸電阻率(ρc)對(duì)晶體硅太陽(yáng)電池的器件性能也至關(guān)重要，金屬-半導(dǎo)體形成良好的歐姆接觸有助于降低電阻損失，提升填充因子。