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新型混合式滅弧系統(tǒng)在限流斷路器中的研究

時間:2008-11-13 10:51:00來源:fenghy

導(dǎo)語:?低壓限流斷路器是低壓配電系統(tǒng)中應(yīng)用最為普遍的電器產(chǎn)品之一,它在開斷故障電流的同時也能對故障電流進行限制,因此具有較高的開斷能力
1 概 述   低壓限流斷路器是低壓配電系統(tǒng)中應(yīng)用最為普遍的電器產(chǎn)品之一,它在開斷故障電流的同時也能對故障電流進行限制,因此具有較高的開斷能力。   與一般的斷路器的滅弧室不同,低壓限流斷路器的滅弧室采用多個滅弧柵片。在開斷過程中,首先動觸頭和靜觸頭分開產(chǎn)生電弧,在電磁場和熱場,流場的作用下運動至滅弧柵片。當電弧進入柵片后,由于被分成的多個短弧的近極壓降,使電弧電壓迅速上升,從而達到限流的目的。   為了有較高的電弧電壓,限流斷路器滅弧室的柵片數(shù)比一般的斷路器要多,并且排列得更緊密。這樣,電弧在進入滅弧室時所受的阻力要較大,在柵片入口處停滯的時間也較長。因此在柵片入口處所產(chǎn)生的金屬蒸氣也較多。近年來對低壓限流斷路器的研究表明:電弧在柵片入口處多次出現(xiàn)在柵片內(nèi)與柵片外,導(dǎo)致電弧電壓的反復(fù)跌落,如圖1所示(1.25ms/格),降低了限流斷路器的限流特性,使燃弧時間增長?! ?
圖1 一般限流斷路器開斷時的背后擊穿現(xiàn)象
  1988年日本名古屋大學(xué)YoshiyukiIkuma等人首次用快速攝象機觀察到電弧的背后擊穿現(xiàn)象。他們還采用微波穿透技術(shù)發(fā)現(xiàn)在低壓斷路器開斷過程中,電弧電壓發(fā)生突降前,將要發(fā)生背后擊穿的間隙都出現(xiàn)溫度的上升,這是由于電弧的熱氣流經(jīng)過滅弧室的后壁的反射進入相應(yīng)區(qū)域的結(jié)果。游離氣體的進入和溫度的上升,使相應(yīng)區(qū)域的臨界電場強度降低,可以導(dǎo)致背后擊穿。   目前低壓限流斷路器開斷過程中所產(chǎn)生的短間隙大電流電弧,是一種金屬蒸氣占主導(dǎo)地位的電弧。因而要提高這類電弧的電弧電壓,就必須控制金屬蒸氣。針對這種情況,近年發(fā)展了用于低壓斷路器限流開斷的金屬噴流控制技術(shù)。   本文在滅弧室柵片間插入絕緣材料,形成一個縫隙,更直接的對柵片滅弧室中的電弧進行冷卻,它的作用相當于窄縫滅弧室的固體器壁的冷卻作用,但不同的是它主要依靠器壁材料的產(chǎn)氣作用,這樣我們將這種新型滅弧室稱為混合式滅弧室。通過實驗證明,在限流斷路器的滅弧室中采用這種技術(shù),可以有效減小金屬蒸氣的噴流。配合以隔弧板,不僅消除了背后擊穿現(xiàn)象,而且進入滅弧室后的電弧電壓能夠始終保持較高的值,明顯縮短了燃弧時間,減小了允通能量,大大提高了限流斷路器的開斷性能。 2 混合式滅弧系統(tǒng)的實驗研究   為觀察電弧運動,采用了西安交通大學(xué)電器教研室研制的二維光纖測試系統(tǒng)。系統(tǒng)的探測部分由32根光纖組成,排列在整個燃弧區(qū)域。由于電弧光很強,為了便于判斷,采用門檻值,凡高于此值的光信號作為電弧的反映。系統(tǒng)將光纖傳送的光信號轉(zhuǎn)化為電信號,最終成為數(shù)據(jù)存儲在計算機。拍攝速度可達0.83μs??墒刮覀兗氈碌挠^測到電弧運動。   實驗采用LC單頻振蕩回路電路供給,提供50Hz的電流,整個實驗回路及模型限流斷路器如圖2所示?!?
圖2 限流斷路器模型及實驗回路
  在實驗中,將二維光纖電弧測試系統(tǒng)的光纖陣列置于限流斷路器的壁上,用它觀察得到的限流斷路器開斷過程中電弧運動如圖3。
圖3 用二維光纖電弧測試系統(tǒng)所觀察的限流斷路器的開斷過程
  從限流斷路器開斷過程中電弧運動的觀察結(jié)果可以看出,用二維光纖陣列電弧測試系統(tǒng)可以對開斷過程中電弧的運動進行觀察。上圖中,每一個圓代表一根光纖,如果光纖觀測到了電弧,則相應(yīng)的小圓被填充。上面的結(jié)果可看出,在1.5ms時,電弧產(chǎn)生,2.0ms時電弧向前運動,3.2ms時電弧開始進入滅弧柵片,3.5ms時電弧已經(jīng)完全進入滅弧柵片,4.2ms時電弧退出了滅弧柵片。這說明一般的限流斷路器在開斷過程中存在背后擊穿,降低了開斷性能。   本文直接在滅弧室柵片間插入產(chǎn)氣絕緣材料如圖4中所示,在電弧的高溫作用下,發(fā)出大量的絕緣物蒸氣,這樣由于限制了電弧弧根,并借助絕緣物產(chǎn)生的蒸氣,使電弧弧根周圍壓力進一步提高,控制了電極發(fā)射出的金屬蒸氣的噴流運動方向。此外,絕緣物產(chǎn)生的氣體冷卻電弧弧柱,使電弧電阻上升,電弧電壓提高。
圖4 采用VJC技術(shù)的滅弧室柵片與一般滅弧室柵片的對比
  通過運用二維電弧光纖測試系統(tǒng)對開斷時電弧運動的觀察,本文發(fā)現(xiàn),一般結(jié)構(gòu)的限流斷路器在開斷時,電弧多次反復(fù)出現(xiàn)背后擊穿,這與開斷過程中電弧電壓的跌落是相應(yīng)的。在滅弧室柵片間插入產(chǎn)氣絕緣材料后,由于滅弧室內(nèi)柵片間的絕緣板對熱氣流擴散的限制,并且產(chǎn)生大量的氣體,對電弧進行更直接的冷卻,因此電弧電壓較平穩(wěn),在整個開斷過程中,電弧反復(fù)在柵片滅弧室之外出現(xiàn)的次數(shù)也大為減少。   采用隔弧板,由于具有最好通氣情況,可以在開斷中抑制熱氣流的回流,控制金屬蒸氣的向后擴散,也可以使大量的能量排出。具有好的開斷特性,可以非常有效的抑制背后擊穿現(xiàn)象的產(chǎn)生。從二維光纖電弧測試系統(tǒng)的觀察結(jié)果,以及開斷時的限流斷路器開斷電弧電壓電流波形圖,可以看出幾乎沒有背后擊穿的發(fā)生。但在開斷中,由于大量金屬蒸氣的擴散,使電弧電阻變小,電弧電壓持續(xù)下降,最高值與最低值有時相差150V,不利于開斷特性的提高。   考慮到上面的結(jié)構(gòu)的優(yōu)點與缺點,而采用窄縫滅弧室,柵片滅弧室與隔弧板相配合的混合式滅弧室,多次實驗獲得的限流斷路器開斷電弧電壓電流波形圖,以及用二維光纖陣列電弧測試系統(tǒng)所觀察的電弧運動圖象,都明顯看出,這種結(jié)構(gòu)完全抑制了背后擊穿的發(fā)生,并且一旦電弧進入柵片滅弧室,則電弧電壓始終保持一個較高的值,燃弧時間以及充能能量都是最小的。通過實驗中對多種結(jié)構(gòu)進行對比。在上圖4中,結(jié)構(gòu)(1)與(2)采用了窄縫與柵片配合,結(jié)構(gòu)(1)中的滅弧室后部用開孔面積50%的絕緣板以防止飛弧。但這樣開斷時有時也會有背后擊穿的發(fā)生。結(jié)構(gòu)(2)中除了采用窄縫與柵片配合,還在滅弧室柵片之后續(xù)接上絕緣隔離板,這樣即保證了滅弧室內(nèi)氣體的流通,消弱了熱氣流的回流,又保證了電弧不會在滅弧室的后部跑出柵片而導(dǎo)致電壓的突降。結(jié)構(gòu)(3)也采用了這種能消弱熱氣流的回流的方法,但沒有采用窄縫與柵片配合。圖4中的(4),(5)分別是(2)與(3)的側(cè)視圖。這些結(jié)構(gòu)的開斷電弧電壓電流波形有所不同。如圖5所示。
圖5 各種滅弧系統(tǒng)的開斷特性
  圖5中(1),(2)是1.25ms/格,(3)是0.625ms/格。綜合圖5實驗結(jié)果,可得出表1所示對比:
表1 多種滅弧室開斷特性的對比
  a:一般情況的開斷特性   b:采用窄縫與柵片配合時的開斷特性   c:單獨采用隔弧板的開斷特性   d:新型的混合式滅弧系統(tǒng)的開斷特性   從表1可以看出,在一般結(jié)構(gòu)的限流斷路器中,平均燃弧時間較長,平均背后擊穿的次數(shù)也是較多的,采用窄縫與柵片配合的限流斷路器模型在開斷中背后擊穿次數(shù)一般不多于1次,但也影響到開斷特性的提高。最好的開斷情況是采用窄縫滅弧室,柵片滅弧室與隔弧板相配合的混合式滅弧室的限流斷路器,它不僅完全沒有背后擊穿,而且在開斷時,一旦電弧進入了柵片滅弧室,電弧由于近極壓降而迅速上升,以后一直保持這個較高的值,因此對平均燃弧時間大大減少,比一般結(jié)構(gòu)減少了20%,明顯提高了開斷特性。 3 結(jié) 論   對目前低壓限流斷路器開斷過程中所產(chǎn)生的短間隙大電流電弧,經(jīng)實驗證明,不同于傳統(tǒng)的空氣電弧,這類電弧是一種金屬蒸氣占主導(dǎo)地位的電弧。因而要提高這類電弧的電弧電壓,就必須控制金屬蒸氣。本文研究了一種將窄縫滅弧室,柵片滅弧室與隔弧板相配合應(yīng)用于限流斷路器的新型混合式滅弧系統(tǒng)??刂屏藮牌g金屬短弧的金屬蒸氣噴流,同時削弱滅弧室中熱氣體的回流。實驗證明,新型的混合式滅弧系統(tǒng)不僅有效的抑制了背后擊穿現(xiàn)象的發(fā)生,而且進入滅弧室的電弧始終具有平穩(wěn)的較高電弧電壓,有效的提高了限流斷路器的開斷性能。

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