臺積電引入最先進(jìn)16nm工藝,預(yù)計明年5月投產(chǎn)

時間：2017-12-11

來源：網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語：據(jù)報道，臺積電南京工廠將會在明年5月提前量產(chǎn)30mm晶圓，據(jù)悉，臺積電會引進(jìn)16nmFinFET制造工藝，僅次于10nmFinFET，并在南京設(shè)立一個設(shè)計服務(wù)中心來吸引客戶訂單。

據(jù)報道，臺積電南京工廠將會在明年5月提前量產(chǎn)30mm晶圓，據(jù)悉，臺積電會引進(jìn)16nmFinFET制造工藝，僅次于10nmFinFET，并在南京設(shè)立一個設(shè)計服務(wù)中心來吸引客戶訂單。

據(jù)臺積電聯(lián)席CEO劉德音（MarkLiu）披露，臺積電位于南京的300mm晶圓廠將于2018年5月份投入量產(chǎn)，比原計劃的2018年下半年提前了一個季度還要多。

臺積電南京晶圓廠于2016年7月份破土動工，2017年9月份開始設(shè)備安裝，將會引入16nmFinFET制造工藝，并在南京設(shè)立一個設(shè)計服務(wù)中心來吸引客戶訂單。

這是臺積電目前已量產(chǎn)的第二高級的工藝，僅次于10nmFinFET——按照相關(guān)政策，最先進(jìn)的工藝是不允許引入內(nèi)地的。

即便如此，這也將成為內(nèi)地最先進(jìn)的工藝——目前內(nèi)地最好的還是28nm，最流行的依然是40/45nm。

劉德音還表示，除了高性能計算、IoT物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、移動設(shè)備，臺積電未來還會專注于AI人工智能、5G設(shè)備平臺，并且正與大量客戶密切溝通，計劃用12nm、10nm、7nm工藝制造AI和機(jī)器學(xué)習(xí)芯片。

使用新的7nm工藝，臺積電還為40多家客戶研發(fā)了5G相關(guān)新品，將于2018年量產(chǎn)。

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