12月5日消息，面對(duì)當(dāng)前DRAM市場(chǎng)供不應(yīng)求、價(jià)格持續(xù)上漲的局面，三星電子、SK海力士、美光這三大DRAM采取了不同的應(yīng)對(duì)策略：三星電子擬減產(chǎn)HBM3E來(lái)擴(kuò)大通用DRAM供給;而SK海力士則聚焦擴(kuò)大數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級(jí)所需的DRAM產(chǎn)品的供給，但也考慮擴(kuò)大通用DRAM供給;美光則完全轉(zhuǎn)向了滿足數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級(jí)需求，甚至不惜砍掉自己的消費(fèi)類品牌。

　　三星電子擬削減HBM3E約40%產(chǎn)能，擴(kuò)大通用DRAM供給

　　據(jù)韓國(guó)媒體DealSite近日?qǐng)?bào)導(dǎo)，為助力公司實(shí)現(xiàn)明年利潤(rùn)最大化的目標(biāo)，三星電子正考慮大幅削減基于其10nm級(jí)制程的第四代(1a)DRAM芯片HBM3E的產(chǎn)能，以便將生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到利潤(rùn)率高于當(dāng)前HBM3E的10nm 級(jí)第五代 (1b) 制程的通用DRAM芯片上。

　　一位熟悉該三星內(nèi)部情況的負(fù)責(zé)人表示：“我們內(nèi)部正在討論將 30-40% 的 1a DRAM 產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為1b DRAM。”他補(bǔ)充道：“如果我們將成熟工藝線(例如 1z)的轉(zhuǎn)換投資也算進(jìn)去，我們將確保每月額外獲得 8 萬(wàn)片(基于晶圓)的 1b DRAM 產(chǎn)能?！?/p>

　　目前三星HBM3 和HBM3E 均基于1a nm 制程的DRAM制造，而三星電子的1b DRAM則主要用于生產(chǎn)通用DRAM產(chǎn)品，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分會(huì)用于生產(chǎn)GDDR7。即將量產(chǎn)的HBM4 則基于1c nm及1b nm 制程技術(shù)的DRAM產(chǎn)能來(lái)生產(chǎn)。

　　雖然三星HBM3E良率已有顯著提升，今年下半年也加入了英偉達(dá)的HBM3E供應(yīng)鏈，但其供應(yīng)量仍然有限。因?yàn)橛ミ_(dá)已經(jīng)從SK海力士和美光獲得了足夠的供貨量。同時(shí)，三星供給英偉達(dá)這些大客戶的HBM3E價(jià)格也要比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更低，這也導(dǎo)致了三星當(dāng)前的HBM3E產(chǎn)品的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率預(yù)計(jì)只有30%左右。此外，英偉達(dá)、AMD都計(jì)劃從明年開(kāi)始將其主要產(chǎn)品的需求過(guò)渡到HBM4，這也將導(dǎo)致對(duì)于HBM3E需求減少。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，從明年開(kāi)始，12層HBM3E產(chǎn)品的年均售價(jià)可能還將下降30%以上，這也意味著三星HBM3E的利潤(rùn)率可能會(huì)進(jìn)一步降低。

　　與此同時(shí)，由于人工智能(AI)的旺盛需求、HBM搶占標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)能、短期內(nèi)DRAM擴(kuò)產(chǎn)幅度有限等原因，導(dǎo)致基于1b DRAM產(chǎn)能的通用DRAM產(chǎn)品供不應(yīng)求、價(jià)格持續(xù)上漲。根據(jù)預(yù)計(jì)，在經(jīng)過(guò)價(jià)格上漲之后，三星基于1b DRAM產(chǎn)能的DDR5等通用DRAM的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率將超過(guò)60%，遠(yuǎn)高于HBM3E產(chǎn)品。因此，對(duì)于三星來(lái)說(shuō)，降低HBM3E產(chǎn)能，擴(kuò)大標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)出將更有利可圖。

　　一位半導(dǎo)體行業(yè)人士也解釋說(shuō)：“三星雖然通過(guò)了英偉達(dá)的HBM3E認(rèn)證測(cè)試，并開(kāi)始供貨。但明年三星在英偉達(dá)HBM3E供應(yīng)鏈中的份額將只有個(gè)位數(shù)”，并且“由于HBM3E與通用DRAM的盈利能力差距很大，目前生產(chǎn)HBM3E實(shí)際上是在賠錢(qián)。 ”

　　雖然，減產(chǎn)HBM3E所釋放的1b DRAM產(chǎn)能也可以被用于HBM4，但三星目前主要是計(jì)劃用1c DRAM產(chǎn)能來(lái)制造HBM4，以形成對(duì)SK海力士的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。相關(guān)報(bào)道顯示，三星計(jì)劃在其目前月產(chǎn)能為2萬(wàn)片晶圓的1c DRAM生產(chǎn)線上擴(kuò)大投資，提升至約8萬(wàn)片晶圓，并將現(xiàn)有成熟工藝升級(jí)為1c DRAM工藝，從而在明年年底前將1c DRAM其總產(chǎn)能提升至15萬(wàn)片晶圓。不過(guò)最近有傳聞稱，三星對(duì)于HBM4投資開(kāi)始偏于謹(jǐn)慎，可能也在考慮進(jìn)一步削減投資。

　　除了英偉達(dá)和AMD之外，三星電子目前也有向博通、谷歌在內(nèi)的多家大型科技公司供應(yīng)HBM3E，減產(chǎn)HBM3E可能會(huì)影響到他們。但是三星內(nèi)部人士認(rèn)為：“如果美光科技由于重新設(shè)計(jì)HBM4，使得其HBM4市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力下降，其明年的HBM產(chǎn)能仍將集中于HBM3E，因此其他ASIC客戶有望從美光那里獲得更多HBM3E產(chǎn)能。

　　除了通過(guò)減產(chǎn)HBM3E來(lái)增加通用DRAM產(chǎn)能之外，三星電子近期也決定將其位于平澤和華城園區(qū)的部分NAND閃存生產(chǎn)線改造為通用DRAM生產(chǎn)線，以快速提升通用DRAM產(chǎn)能。因?yàn)橥ㄓ肈RAM的價(jià)格上漲預(yù)計(jì)將比NAND Flash的價(jià)格上漲持續(xù)更長(zhǎng)時(shí)間。

　　一位知情人士表示：“三星內(nèi)部有強(qiáng)烈的趨勢(shì)，力爭(zhēng)明年取得優(yōu)異的外部業(yè)績(jī)。我們的核心目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)比SK海力士更高的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)，并在盈利能力方面明顯超越他們?！痹撊耸垦a(bǔ)充道：“因此，我們目前的目標(biāo)是保持DRAM產(chǎn)量的高速增長(zhǎng)(與近期半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇相符)，并計(jì)劃將大部分產(chǎn)能分配給利潤(rùn)率較高的通用DRAM?！?/p>

　　事實(shí)上，近年來(lái)三星與SK海力士?jī)杉夜局g的盈利差距日益擴(kuò)大。去年，囊括半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的三星DS部門(mén)的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為15.1萬(wàn)億韓元，而SK海力士的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)則高達(dá)23.467萬(wàn)億韓元。預(yù)計(jì)今年三星的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將達(dá)到23.6萬(wàn)億韓元，但是遠(yuǎn)低于SK海力士的43萬(wàn)億韓元。而在2023年半導(dǎo)體行業(yè)低迷時(shí)期，三星電子DS部門(mén)錄得14.8795萬(wàn)億韓元的營(yíng)業(yè)虧損，也幾乎是SK海力士虧損的7.7303萬(wàn)億韓元的兩倍。

　　SK海力士擴(kuò)大1c DRAM產(chǎn)能，或?qū)⒃黾油ㄓ肈RAM產(chǎn)出

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，為應(yīng)對(duì)旺盛的DRAM需求，SK海力士計(jì)劃將DRAM產(chǎn)能投資目標(biāo)翻了一番。

　　業(yè)界預(yù)期SK海力士會(huì)將大部分DRAM產(chǎn)能的擴(kuò)張投資于HBM等數(shù)據(jù)中心DRAM產(chǎn)品。SK海力士在第三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上的官方聲明進(jìn)一步強(qiáng)化了這一預(yù)期：“盡管通用DRAM的利潤(rùn)率可能與HBM相近，但我們不會(huì)僅僅因?yàn)橛芰Φ臅簳r(shí)性變化就立即調(diào)整產(chǎn)能結(jié)構(gòu)?！?/p>

　　因此，SK海力士的擴(kuò)產(chǎn)戰(zhàn)略方向與計(jì)劃擴(kuò)大通用DRAM供給來(lái)提升獲利的三星電子截然不同，其更傾向于提高面向數(shù)據(jù)中心的DRAM產(chǎn)品需求來(lái)提升獲利，畢竟SK海力士占據(jù)了一半以上的HBM市場(chǎng)份額，其2026年的HBM產(chǎn)能也已經(jīng)售罄。

　　所以，SK海力士當(dāng)前的擴(kuò)產(chǎn)重心也是擴(kuò)大HBM產(chǎn)能。比如，SK海力士正在建設(shè)的M15X晶圓廠主要是生產(chǎn)1b DRAM，用作HBM3E的核心芯片，計(jì)劃于2025年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能為3.5萬(wàn)片晶圓，未來(lái)預(yù)計(jì)可擴(kuò)大至5.5萬(wàn)至6萬(wàn)片。

　　另外，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士計(jì)劃將其1c DRAM月產(chǎn)能從今年的每月2萬(wàn)片晶圓提升至明年年底的每月16萬(wàn)至19萬(wàn)片晶圓，約占其DRAM總產(chǎn)能的三分之一以上。主要生產(chǎn)基地是利川M14、M16晶圓廠，清州M15X也將部分引進(jìn)1c DRAM生產(chǎn)線。其中，M14將新確保每月13萬(wàn)片規(guī)模的1c DRAM晶圓，M15X將投資3萬(wàn)片晶圓，M16將投資1萬(wàn)片晶圓以上。雖然，這些擴(kuò)產(chǎn)后的1c DRAM雖然不是用于HBM，但是也將主要用于生產(chǎn)GDDR7和SOCAMM2等面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的產(chǎn)品。

　　根據(jù)SK海力士的預(yù)期，DRAM短缺的狀況將會(huì)持續(xù)到2027年底，而新建的用于傳統(tǒng)芯片的新工廠要到2027年或2028年才能有產(chǎn)出。因此，SK海力士也對(duì)此表達(dá)了擔(dān)憂，如果無(wú)法向這些終端客戶供貨通用DRAM，他們可能會(huì)面臨根本無(wú)法做生意的情況。這也使得SK海力士考慮調(diào)整策略。

　　而且，隨著近期通用DRAM價(jià)格的持續(xù)飆升，SK海力士也意識(shí)到了這一趨勢(shì)將推動(dòng)通用DRAM利潤(rùn)率可能達(dá)到與HBM相同、甚至超越。因此，有跡象表明該SK海力士也可能會(huì)調(diào)整這部分的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

　　一位前SK海力士官員表示，“SK海力士的HBM營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率約為70%”，并且“明年通用DRAM的利潤(rùn)率似乎也將達(dá)到類似HBM的水平，因此公司正在積極采取措施來(lái)反映這一點(diǎn)”。

　　根據(jù)韓國(guó)媒體最新的報(bào)道顯示，SK海力士新增的1c DRAM產(chǎn)能也將被用于通用DRAM產(chǎn)品DDR5、LPDDR5X，以及GDDR7的制造。

　　韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界的一位相關(guān)人士解釋說(shuō)：“明年SK海力士M14晶圓廠將新確保每月13萬(wàn)片規(guī)模的1c DRAM晶圓，M15X將投資3萬(wàn)片晶圓，M16將投資1萬(wàn)片以上。”他接著解釋說(shuō)：“目前SK海力士也隨著通用DRAM的需求急劇增加，并正在使用季度調(diào)價(jià)而不是長(zhǎng)期供應(yīng)合同(LTA)的方式來(lái)擴(kuò)大銷售額?！?/p>

　　美光：退出Crucial消費(fèi)類存儲(chǔ)業(yè)務(wù)

　　當(dāng)?shù)貢r(shí)間2025年12月3日，美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光科技(Micron)通過(guò)官網(wǎng)正式宣布，將退出 Crucial 消費(fèi)類存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，其中包括在全球主要零售商、電商和分銷商處銷售 Crucial 消費(fèi)品牌存儲(chǔ)產(chǎn)品。

　　美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示：“人工智能驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)帶動(dòng)了內(nèi)存和存儲(chǔ)需求的激增。為了更好地為我們?cè)谠鲩L(zhǎng)更快的細(xì)分市場(chǎng)中的大型戰(zhàn)略客戶提供供應(yīng)和支持，美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費(fèi)業(yè)務(wù)?！?/p>

　　簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是，美光希望通過(guò)退出自有品牌 Crucial 消費(fèi)類存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，以便能夠快速將這部分的產(chǎn)能重新分配到毛利潤(rùn)率更高的HBM/企業(yè)級(jí)DRAM和SSD產(chǎn)品上，以滿足AI領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的需求。

　　不過(guò)，由于HBM4不符合英偉達(dá)要求，美光正在重新設(shè)計(jì)，這也使得其2026年難以在HBM4市場(chǎng)獲得多少訂單，所以其2026年新增的產(chǎn)能會(huì)集中于HBM3E的供應(yīng)，以擴(kuò)大對(duì)英偉達(dá)的供應(yīng)份額。

　　美光CEO Sanjay Mehrotra今年9月透露，在截至8月的單季度，美光HBM收入增長(zhǎng)至近20億美元，整個(gè)財(cái)年的HBM收入預(yù)計(jì)達(dá)80億美元。

　　雖然美光也在加大投資建設(shè)新產(chǎn)能，比如已經(jīng)動(dòng)工的中國(guó)臺(tái)灣的A5工廠和美國(guó)的愛(ài)達(dá)荷州的ID1晶圓廠，但是遠(yuǎn)水解不了近渴，這部分產(chǎn)能要2027年才能開(kāi)出，且主要也是面向數(shù)據(jù)中心需求。最新宣布的96億美元在日本廣島建設(shè)的新廠，也是用于生產(chǎn)HBM，預(yù)計(jì)2028年才能有產(chǎn)出。

　　據(jù)路透社的最新報(bào)導(dǎo)，在經(jīng)過(guò)大規(guī)模的市場(chǎng)調(diào)查之后發(fā)現(xiàn)，今年10月，谷歌、亞馬遜、微軟和Meta紛紛向美光提出了“無(wú)限期訂單”，他們告訴美光，無(wú)論價(jià)格如何，只要能交付多少，他們就會(huì)接收多少。這或許也能解釋，美光為何不惜砍掉自家的消費(fèi)類品牌來(lái)增加數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級(jí)的供給。

　　小結(jié)：

　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)測(cè)，2026年全球DRAM供應(yīng)量將同比增長(zhǎng)20%。另?yè)?jù)韓國(guó)金融機(jī)構(gòu)iM Securities估計(jì)，2026年全球DRAM產(chǎn)業(yè)的總產(chǎn)量預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng)約19%，其中三星電子預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)21%，SK海力士預(yù)計(jì)增長(zhǎng)17%。

　　從最新的信息來(lái)看，三大DRAM原廠都在陸續(xù)上調(diào)明年DRAM產(chǎn)量增長(zhǎng)目標(biāo)，但是基于自身實(shí)際情況、為了提升獲利，三家原廠采取不同的策略。三星直接選擇了減產(chǎn)HBM3E、擴(kuò)大通用DRAM產(chǎn)能供給;SK海力士則是持續(xù)擴(kuò)大面向數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級(jí)的DRAM產(chǎn)能供給，但是隨著通用DRAM利潤(rùn)率持續(xù)提升，SK海力士也計(jì)劃增加通用DRAM的產(chǎn)出;美光則是一門(mén)心思地?cái)U(kuò)大數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級(jí)供給，甚至不惜砍掉自己的消費(fèi)類品牌。但不管策略如何，他們的目標(biāo)都是提升獲利。

　　業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，雖然三大原廠都在積極擴(kuò)產(chǎn)，但是明年DRAM市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)量可能會(huì)超過(guò)產(chǎn)量的擴(kuò)張。TrendForce也預(yù)測(cè)，2026年的對(duì)于DRAM的需求將同比增長(zhǎng)26%，比2025年DRAM供應(yīng)的20%的增長(zhǎng)，將有不小的缺口存在，并預(yù)計(jì)2026年整體的DRAM平均單價(jià)將同比上漲58%。