三星電子宣布正式量產(chǎn)以10納米制程技術(shù)打造的32GB DDR4存儲器

時間:2018-06-01

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導(dǎo)語:三星電子30日宣布,已開始正式量產(chǎn)全球首款32GB容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組(SoDIMM)規(guī)格的電競筆電DDR4存儲器。

【三星電子宣布正式量產(chǎn)以10納米制程技術(shù)打造的32GB DDR4存儲器】三星電子30日宣布,已開始正式量產(chǎn)全球首款32GB容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組(SoDIMM)規(guī)格的電競筆電DDR4存儲器。而新的SoDIMM存儲器模組是以10納米制程技術(shù)打造,可以用戶享受豐富的電競游戲之外,并具有更大的容量與更快的速度,而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。

三星指出,透過使用新的存儲器解決方案,個人電腦制造商可以設(shè)計速度更快,針對頂級游戲的電競筆電產(chǎn)品。其電池續(xù)航時間可以較過往產(chǎn)品更長,甚至超越傳統(tǒng)的移動工作站的效能,卻同時保持現(xiàn)有的筆電的輕巧配置。三星電子存儲器市場高級副總裁SewonChun指出,三星的32GBDDR4DRAM存儲器將會為筆記本電腦帶來前所未有的游戲體驗。而且,三星還將繼續(xù)為包括高接筆記本電腦,臺式機在內(nèi)的所有分眾市場提供最先進的DRAM產(chǎn)品組合,并提高其速度和容量。

新推出的32GBDDR4DRAM存儲器模組,與三星本身在2014年推出,以20納米制程技術(shù)所生產(chǎn)的速度8GB,容量為16GbDDR4SoDIMM相比,新款32GB存儲器模組除了容量增加一倍之外,速度也提高了11%,能效提高了約39%。根據(jù)測試,配置有兩個32GBDDR4存儲器模組的64GB容量筆電,其在主動模式下,功耗不到4.6瓦(W),閑置時功耗更低于1.4W。與目前配備16GB存儲器模組,針對電競市場的筆記本電腦相比,分別降低了大約39%,以及降低超過25%的用電量。

三星進一步指出,目前已經(jīng)開始積極擴展其10納米等級制成的DRAM陣容。其中,包括了16GbLPDDR4,16GbGDDR5和16GbDDR4等產(chǎn)品。這對于未來在移動、圖形、個人電腦和服務(wù)器領(lǐng)域迎接速度16GbDRAM的新時代,以及應(yīng)用在包括高效能運算及汽車電子等領(lǐng)域?qū)泻艽蟮男阅芴嵘妗?/p>

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