【NAND Flash擴產會導致產能過剩？】全球資料經濟快速成長，極速增加的數(shù)據(jù)量對存儲器提出更高要求，對于NAND Flash芯片需求量亦持續(xù)增加，美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra日前表示，盡管全球存儲器廠商紛擴增旗下NANDFlash產能，預期2018年以后全球NAND Flash產能供給將以每年平均40%速度穩(wěn)定成長，然因與NAND Flash市場需求增長態(tài)勢相當，眾廠擴產動作不一定會導致產能過剩問題。

全球存儲器芯片供應商均觀察到NAND Flash市場需求增長態(tài)勢，包括三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)、英特爾(Intel)、威騰(WD)及美光等，持續(xù)投資擴增NAND Flash產能，美光更預期NAND Flash需求增長將會遠超過DRAM。美光認為，隨著NAND Flash存儲器從2D轉向3D世代，生產制造的資本需求大幅增加，相較于先前2D NAND Flash世代，第一代32層3D NAND Flash在每片晶圓產出位元數(shù)量雖顯著增加，然在每一接續(xù)世代節(jié)點轉換時，不僅資本支出隨之增加，每片晶圓產出位元的增長速度亦減緩下來，過去3年來NAND產能供給成長幅度維持在約40%，未來即使資本支出有所提升，預期產能增長速度亦將維持在約40%的水準。

以美光的情況為例，為取得更好的投資報酬率，并領先競爭對手，美光持續(xù)投資先進制程節(jié)點開發(fā)，在2013年時，美光仍以20納米制程生產MLC2DNANDFlash，當時相較于競爭對手約有65%的成本劣勢，然過去幾年美光持續(xù)加碼先進制程資本支出，目前在3D NAND Flash市場已站穩(wěn)領先群角色，2017年成本優(yōu)勢已超過競爭對手達15%。

事實上，美光旗下NAND Flash業(yè)務轉折點可說是始自2015年，當時美光與英特爾合作導入CUA(CMOSunderArray)架構，轉型到32層3D NAND Flash，正是該架構替美光帶來顯著的成本效益，2017年64層3D NAND及2018年96層3D NAND均沿用CUA架構，第四代3DNAND更結合CUA架構與ChargeTrapCell技術，可增加頻寬逾30%，并降低功耗至少40%，以符合未來多重終端市場的需求。

美光預期2017~2021年NAND Flash需求將以年復合增長率40~45%的速度成長，其增長動能大多數(shù)來自于更多先進客戶端與企業(yè)用SSD需求挹注，且隨著高畫質影音及影像需求更多的移動儲存空間，移動市場亦將是帶動NAND Flash需求增長的關鍵動能之一。

根據(jù)美光提供的資料顯示，2013~2017年NAND Flash需求增長325%，且絕大多數(shù)來自于移動NAND的增加，同時客戶端和企業(yè)用固態(tài)硬碟(SSD)采用量亦增加，這是由于服務器廠商持續(xù)以SSD取代傳統(tǒng)HDD。

硬碟供應商威騰于2016年收購第二大SSD廠商閃迪，英特爾亦開始生產3D NAND及企業(yè)用SSD，以搭配自家服務器處理器使用，如今由閃迪延攬來的美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra及重要干部，正帶領美光營運發(fā)展及改善旗下SSD產能與產品結構。