美光宣布在美投資增至 2000 億美元,加建晶圓廠和 HBM 封裝設(shè)施
導(dǎo)語:6 月 13 日消息,美光當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布將在美國的投資從此前宣布的 1250 億美元擴大至 2000 億美元(IT之家注:現(xiàn)匯率約合 1.44 萬億元人民幣),包括額外 250 億美元的內(nèi)存制造投資和單獨 500 億美元的研發(fā)投資。
美光此前已啟動位于其總部愛達(dá)荷州博伊西的 1 座 DRAM 內(nèi)存晶圓廠建設(shè),并計劃在紐約州克萊再建設(shè) 4 座大型內(nèi)存晶圓廠。
此次的新公告則計劃在博伊西加建一座晶圓廠、建設(shè) HBM 封裝設(shè)施、對弗吉尼亞州馬納薩斯晶圓廠進行擴建和現(xiàn)代化。
馬納薩斯晶圓廠將制造已相對成熟的 1-alpha (1a nm) DRAM,保障美國多個關(guān)鍵領(lǐng)域的內(nèi)存供應(yīng)。美國商務(wù)部已敲定對該項目的 2.75
億美元《CHIPS》法案補貼,這意味著美光所獲直接資金支持總額上升至 64 億美元。
美光在博伊西新建的第一座晶圓廠計劃于 2027 年開始生產(chǎn)
DRAM,克萊建設(shè)項目有望在今年晚些時候啟動地面準(zhǔn)備。該企業(yè)認(rèn)為博伊西第二新晶圓廠將在克萊第一晶圓廠前上線;而在博伊西兩座新廠竣工后 HBM
封裝項目也將啟動。
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