有望大幅降低運(yùn)算能耗的NEMS繼電器要取代晶體管?

時(shí)間:2018-12-17

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:依賴能量收集的物聯(lián)網(wǎng)芯片可以使用低功率繼電器進(jìn)行計(jì)算。專家們夢(mèng)想有一天,大部分物聯(lián)網(wǎng)器件都可以實(shí)現(xiàn)自給自足。但是,大多數(shù)原型系統(tǒng)通過從環(huán)境熱量、光、無線電波甚至細(xì)菌代謝等環(huán)境中收集的能量,并不能提供足夠的電壓來驅(qū)動(dòng)晶體管。一種可能的解決方案,是拋棄晶體管,轉(zhuǎn)而采用微/納米級(jí)機(jī)械開關(guān)。

依賴能量收集的物聯(lián)網(wǎng)芯片可以使用低功率繼電器進(jìn)行計(jì)算。專家們夢(mèng)想有一天,大部分物聯(lián)網(wǎng)器件都可以實(shí)現(xiàn)自給自足。但是,大多數(shù)原型系統(tǒng)通過從環(huán)境熱量、光、無線電波甚至細(xì)菌代謝等環(huán)境中收集的能量,并不能提供足夠的電壓來驅(qū)動(dòng)晶體管。一種可能的解決方案,是拋棄晶體管,轉(zhuǎn)而采用微/納米級(jí)機(jī)械開關(guān)。

根據(jù)近日在IEEE國際電子元件會(huì)議(InternationalElectronDeviceMeeting)上提出的一項(xiàng)研究,納機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)繼電器可以僅使用50毫伏的電壓實(shí)現(xiàn)切換,這大約是處理器上晶體管所需要的1/15。

繼電器,晶管

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,美國加州大學(xué)伯克利分校的IEEEFellow劉金(Tsu-JaeKingLiu)實(shí)驗(yàn)室的研究生AliceYe解釋稱,一種被稱為亞閾值斜率的CMOS晶體管固有屬性,其值愈小,器件的開關(guān)(即在導(dǎo)通態(tài)和截止態(tài)之間的轉(zhuǎn)換)速度就愈快,限定了開啟晶體管的電壓下限。但隨著制造商越來越接近這一限制,完全關(guān)閉晶體管變得更加困難。也就是說,即使當(dāng)晶體管關(guān)閉時(shí),電流也會(huì)在它們之間泄漏,從而浪費(fèi)電能。

繼電器,晶管

“理想的器件是幾乎沒有關(guān)閉狀態(tài)的電流泄漏,以及零亞閾值擺動(dòng),”Ye說。而這正是NEMS繼電器可以提供的理想性能。

Ye的研究展示了比以往更接近理想要求的繼電器。繼電器基本上是由彈簧懸置的薄片方形平臺(tái)。施加到平臺(tái)上的電壓拉動(dòng)平臺(tái)向下運(yùn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)兩組電極接觸,從而導(dǎo)通電流。移除電壓,彈簧回彈,斷開連接。

劉金的實(shí)驗(yàn)室十多年來一直在研究NEMS繼電器,其早期研究較少關(guān)注低電壓運(yùn)行。但在過去的幾年里,他們一直致力于盡可能低地降低電源電壓。其研究涉及兩項(xiàng)創(chuàng)新。第一個(gè)是“bias”NEMS本體。也就是說,它們?cè)谄骷路皆O(shè)置了穩(wěn)定、不變的電壓。設(shè)置此偏置電壓后,繼電器觸點(diǎn)結(jié)合需要的電壓會(huì)降低很多。

第二項(xiàng)創(chuàng)新與觸點(diǎn)有關(guān)。一旦柵極結(jié)合觸點(diǎn),金屬和金屬的接觸需要一些額外的力來打破。在實(shí)踐中,這意味著以200毫伏開啟的繼電器,可能需要將電壓降至100毫伏才會(huì)關(guān)斷。為了減少這種稱為遲滯電壓的差異,劉金的團(tuán)隊(duì)首先重新設(shè)計(jì)了開關(guān),將四對(duì)觸點(diǎn)改為兩對(duì)觸點(diǎn)。他們還在制造過程中增加了一個(gè)步驟,用單分子厚的潤滑劑層涂覆表面。“涂層與特氟龍相似,因此它的附著力非常低,”Ye說。

這些創(chuàng)新的結(jié)合,將遲滯電壓降低到了可接受的水平,不過,需要付出一定的成本。因?yàn)橛|點(diǎn)潤滑劑層間的擠壓,該器件現(xiàn)在不會(huì)急劇地接通斷開,而是具有輕微的亞閾值擺動(dòng)。即便如此,最終的器件可以在50毫伏下工作,并可以組合成幾種類型的邏輯門。

繼電器適用于與CMOS晶體管不同的邏輯形式,稱為“pass-gatelogic”,它需要更少的器件來實(shí)現(xiàn)相同的輸出。使用早期版本的器件,他們構(gòu)建了包括一個(gè)32位加法器的多門系統(tǒng)。“我們知道我們可以使這些更復(fù)雜,”劉金說。

據(jù)劉金介紹,除了極低的電壓要求外,NEMS繼電器制成的電路還具有其他優(yōu)勢。首先,它們的開關(guān)特性相比硅系統(tǒng),能夠在更寬的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。此外,它們本身也具有耐受輻射的能力。

劉金的團(tuán)隊(duì)接下來將進(jìn)一步使繼電器的工作電壓降低到10毫伏。劉金說他們對(duì)這個(gè)目標(biāo)非常樂觀。他們還在研究將繼電器集成到標(biāo)準(zhǔn)CMOS芯片中。為此,他們?cè)O(shè)計(jì)了可以垂直構(gòu)建的繼電器,以適應(yīng)現(xiàn)代處理器中堆疊在硅片上方的多層互連。這種混合系統(tǒng)可以連續(xù)地以低水平運(yùn)行,然后在設(shè)定的事件觸發(fā)時(shí)與主處理器接合。

 

中傳動(dòng)網(wǎng)版權(quán)與免責(zé)聲明:

凡本網(wǎng)注明[來源:中國傳動(dòng)網(wǎng)]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權(quán)均為中國傳動(dòng)網(wǎng)(www.connectcrack.com)獨(dú)家所有。如需轉(zhuǎn)載請(qǐng)與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網(wǎng)站或個(gè)人轉(zhuǎn)載使用時(shí)須注明來源“中國傳動(dòng)網(wǎng)”,違反者本網(wǎng)將追究其法律責(zé)任。

本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明其他來源的稿件,均來自互聯(lián)網(wǎng)或業(yè)內(nèi)投稿人士,版權(quán)屬于原版權(quán)人。轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負(fù)版權(quán)法律責(zé)任。

如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

關(guān)注伺服與運(yùn)動(dòng)控制公眾號(hào)獲取更多資訊

關(guān)注直驅(qū)與傳動(dòng)公眾號(hào)獲取更多資訊

關(guān)注中國傳動(dòng)網(wǎng)公眾號(hào)獲取更多資訊

最新新聞
查看更多資訊

娓娓工業(yè)

廣州金升陽科技有限公司

熱搜詞
  • 運(yùn)動(dòng)控制
  • 伺服系統(tǒng)
  • 機(jī)器視覺
  • 機(jī)械傳動(dòng)
  • 編碼器
  • 直驅(qū)系統(tǒng)
  • 工業(yè)電源
  • 電力電子
  • 工業(yè)互聯(lián)
  • 高壓變頻器
  • 中低壓變頻器
  • 傳感器
  • 人機(jī)界面
  • PLC
  • 電氣聯(lián)接
  • 工業(yè)機(jī)器人
  • 低壓電器
  • 機(jī)柜
回頂部
點(diǎn)贊 0
取消 0