隨著寬禁半導(dǎo)體材料的發(fā)展，砷化鎵作為一種新型的半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用，用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。砷化鎵是直接能隙的材料，所以可以用來發(fā)光，而Si是間接能隙的材料，只能發(fā)射非常微弱的光。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段，它可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。

砷化鎵雖然具有很好的半導(dǎo)體屬性，但是一直在產(chǎn)業(yè)化道路上走的艱難。有人說，砷化鎵之所以沒有被大規(guī)模使用是因?yàn)槠涠拘裕驗(yàn)樯榫褪且环N劇毒，一旦被身體吸收少量，就有危險(xiǎn)。當(dāng)然這只是其中一個(gè)原因。還有一個(gè)重要原因，是砷化鎵制作成本高，大規(guī)模商用很難。盡管如此，人們?nèi)圆环艞墝?duì)它的研究，2010年，美國研究人員研發(fā)出一種可批量生產(chǎn)砷化鎵晶片的技術(shù)，克服了成本上的瓶頸，使砷化鎵這種感光性能比硅更優(yōu)良的材料有望大規(guī)模用于半導(dǎo)體和太陽能相關(guān)產(chǎn)業(yè)。據(jù)相關(guān)人員介紹，這種新技術(shù)可以生成由砷化鎵和砷化鋁交疊的多層晶體，然后利用化學(xué)物質(zhì)使砷化鎵層分離出來，可同時(shí)生成多層砷化鎵晶片，大大降低了成本。不過，該技術(shù)目前還只能用于批量生產(chǎn)較小的砷化鎵晶片，如邊長500微米的太陽能電池單元。

國內(nèi)砷化鎵龍頭企業(yè)海威華芯是如何起來的？

我國的砷化鎵產(chǎn)業(yè)起步較晚，但是需求很大，這是由于通訊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。砷化鎵可用于高頻及無線通訊，適于制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，應(yīng)用于激光器、無線通信、光纖通信、移動(dòng)通信、GPS全球?qū)Ш降阮I(lǐng)域。砷化鎵除在IC產(chǎn)品應(yīng)用以外，也可加入其它元素改變能帶隙及其產(chǎn)生光電反應(yīng)，達(dá)到所對(duì)應(yīng)的光波波長，制作成光電元件。近年來，我國砷化鎵產(chǎn)量總體而言呈現(xiàn)出較快增長的態(tài)勢，強(qiáng)大的無線通信需求使砷化鎵產(chǎn)量和銷售不斷增長。隨著光電通信等行業(yè)的發(fā)展，砷化鎵的市場需求在不斷增長，國內(nèi)逐漸誕生了一批有影響力的企業(yè)，如海威華芯就是其中的代表。

海威華芯作為國內(nèi)頗具影響力的砷化鎵企業(yè)，是一家有著技術(shù)和夢想的企業(yè)。成都海威華芯科技有限公司成立于2010年，是國內(nèi)首家提供六英吋砷化鎵/氮化鎵微波集成電路（GaAs/GaNMMIC）的純晶圓代工（Foundry）服務(wù)公司，其“六英吋GaAs/GaN集成電路Foundry線”填補(bǔ)了國內(nèi)空白，達(dá)到國際先進(jìn)水平。公司位于成都市雙流區(qū)縣物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)，占地225畝，建筑面積14萬平方米。包括：核心芯片制造廠房、中央動(dòng)力廠房、辦公大樓、技術(shù)合作交流中心等。

海威華芯擁有國際一流的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括：步進(jìn)式光刻機(jī)、離子注入機(jī)、金屬濺射臺(tái)、金屬蒸發(fā)臺(tái)、濕法蝕刻臺(tái)等，設(shè)備穩(wěn)定性高，性能優(yōu)越，并且實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化制造，可為客戶提供穩(wěn)定、高效、優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。據(jù)悉，海威華芯擁有完整的技術(shù)團(tuán)隊(duì)、先進(jìn)的GaAs集成電路制造技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)備，其“六英吋GaAs集成電路Foundry線”是國家支持的重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，在國際國內(nèi)具有重要的戰(zhàn)略意義。在制程技術(shù)發(fā)展方面，海威華芯以多元化及領(lǐng)先為原則，力爭為客戶提供完整的Foundry服務(wù)。在通訊領(lǐng)域海威華芯科技更專注于提供GaAspHEMT集成電路制程技術(shù)。

海威華芯取得的成績

2016年，海威華芯與電子科大戰(zhàn)略合作簽約，成都海威華芯科技有限公司與電子科技大學(xué)示范性微電子學(xué)院的戰(zhàn)略合作簽約。電子科技大學(xué)示范性微電子學(xué)院是國家教育部、發(fā)改委、科技部等6部門聯(lián)合下文，批復(fù)建設(shè)的首批國家示范性微電子學(xué)院，在微電子學(xué)科與集成電路技術(shù)領(lǐng)域享有很高的聲譽(yù)。而海威華芯建設(shè)的大陸首條6寸商用化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，對(duì)國家核心關(guān)鍵技術(shù)自主可控有著重大的戰(zhàn)略意義。

2017年，海威華芯獲得國家集成電路生產(chǎn)企業(yè)認(rèn)定，國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、財(cái)政部、海關(guān)總署認(rèn)定公布了全國63家線寬小于0.25微米或投資額超過80億元、線寬小于0.5微米（含）的集成電路生產(chǎn)企業(yè)名單，其中新增企業(yè)認(rèn)定14家，海威華芯成功入圍。

2017年，海威華芯加入中移動(dòng)5G聯(lián)合創(chuàng)新中心，海威華芯加入創(chuàng)新中心后，在中移動(dòng)的帶領(lǐng)下將聯(lián)合上下游產(chǎn)業(yè)鏈共同推動(dòng)5G高頻全產(chǎn)業(yè)鏈成熟和發(fā)展，搶占5G時(shí)代制高點(diǎn)的同時(shí)開展業(yè)務(wù)應(yīng)用和產(chǎn)品研發(fā)與創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)合作共贏，從而共同拓展5G新市場、挖掘新應(yīng)用，迎接5G帶來的商業(yè)機(jī)遇。

2018年，成都海威華芯科技有限公司新增射線裝置應(yīng)用項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)竣工驗(yàn)收，根據(jù)建設(shè)項(xiàng)目竣工驗(yàn)收管理有關(guān)規(guī)定，我公司對(duì)新增射線裝置應(yīng)用項(xiàng)目開展環(huán)境保護(hù)竣工驗(yàn)收。

2018年海威華芯的項(xiàng)目產(chǎn)線繼續(xù)加大投入，針對(duì)二代化合物芯片的晶圓代工服務(wù)，產(chǎn)品面向5G、雷達(dá)、新能源等市場，目前處于工藝完善和良率提升試生產(chǎn)階段。

由于砷化鎵產(chǎn)業(yè)的技術(shù)難度高，能跨入這個(gè)領(lǐng)域企業(yè)不多，但是行業(yè)的需求很大，這是中國的機(jī)會(huì)，也是海威華芯的機(jī)遇。但是，目前整個(gè)制造過程面臨著成本和良率的雙重挑戰(zhàn)，未來留給他的路還很長。

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