據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電高雄廠正式編定為臺(tái)積22廠(Fab 22)，并且完成該廠2nm營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)建設(shè)。臺(tái)積電供應(yīng)鏈認(rèn)為，臺(tái)積電或許可能將高達(dá)逾7000億新臺(tái)幣的1.4nm投資計(jì)劃轉(zhuǎn)向高雄，但仍視其他縣市爭(zhēng)取臺(tái)積電進(jìn)駐態(tài)度及臺(tái)積電全盤(pán)規(guī)劃而定。
報(bào)道指出，臺(tái)積電打破在不同產(chǎn)區(qū)同時(shí)生產(chǎn)最先進(jìn)制程的慣例，將高雄廠原計(jì)劃切入28納米及7納米的規(guī)劃，改為直接切入2納米。同時(shí)在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際，也立刻于高雄第一期工廠作為生產(chǎn)2納米制程。
此前據(jù)TechNews消息，臺(tái)積電在北部(新竹寶山)、中部(臺(tái)中中科)和南部(高雄楠梓)都有重大投資，興建2nm工廠。
據(jù)了解，新竹寶山廠第一廠初期月產(chǎn)能約達(dá)3萬(wàn)片;高雄廠則計(jì)劃在寶山廠量產(chǎn)隔年也著手2納米強(qiáng)化版N2P的量產(chǎn)作業(yè)，初期規(guī)劃月產(chǎn)能也會(huì)在2萬(wàn)片以上。
臺(tái)積電在2nm制程節(jié)點(diǎn)將首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管，同時(shí)制造過(guò)程仍依賴于極紫外線(EUV)光刻技術(shù)，原計(jì)劃2024年末將做好風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)的準(zhǔn)備，并在2025年末進(jìn)入大量生產(chǎn)，客戶在2026年就能收到首批采用N2制程制造的芯片。
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