三星或已試產(chǎn)第二代3納米芯片,力拼良率超過 60%

時間:2024-01-22

來源:科技新報

導(dǎo)語:三星去年11月宣布,將于2024下半年量產(chǎn)SF3制程,雖然《朝鮮日報》報道未獲三星回復(fù),但從時間看推測相當(dāng)合理。不過,報道提到芯片良率 60%,但沒提到晶體管數(shù)量、芯片尺寸、性能、功耗及其他規(guī)格。

       韓媒《朝鮮日報》(Chosun)引述業(yè)界人士的話表示,三星已開始制造第二代3納米制程(SF3)試制品,并測試芯片性能和可靠性,目標(biāo)是6個月力拼良率超過60%。

  臺積電、三星都在積極爭取客戶,準(zhǔn)備上半年量產(chǎn)第二代3納米GAA架構(gòu)制程,能否滿足Nvidia、高通、AMD等大客戶需求,同時迅速提高產(chǎn)量,是競爭中能否成功的關(guān)鍵。

  三星正測試 SF3 試制芯片的性能和可靠性,首款產(chǎn)品將搭載即將推出的 Galaxy Watch 7 應(yīng)用處理器(AP),預(yù)計用在 Galaxy S25 系列 Exynos 2500 芯片。

  如果SF3產(chǎn)量和性能穩(wěn)定,轉(zhuǎn)向臺積電的客戶將有機會回流,例如三星就相當(dāng)關(guān)注與高通的合作。后者在新一代 Snapdragon 8 Gen 3 中與臺積電合作生產(chǎn)。此外,Nvidia H200、B100和AMD MI300X預(yù)計也將采臺積電3納米制程。

  三星去年11月宣布,將于2024下半年量產(chǎn)SF3制程,雖然《朝鮮日報》報道未獲三星回復(fù),但從時間看推測相當(dāng)合理。不過,報道提到芯片良率 60%,但沒提到晶體管數(shù)量、芯片尺寸、性能、功耗及其他規(guī)格。

  此外,智能手表應(yīng)用處理器、手機芯片和數(shù)據(jù)中心處理器的芯片尺寸、性能和功耗目標(biāo)完全不同。小型芯片如果良率只有 60%,要商用相當(dāng)困難,但若是光罩尺寸(reticle size)的芯片良率為 60%,就相當(dāng)合理。

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