6月18日，年產(chǎn)36萬(wàn)片碳化硅晶圓的長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主體結(jié)構(gòu)封頂。該基地是武漢新城誕生的第一個(gè)項(xiàng)目，主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個(gè)集芯片設(shè)計(jì)、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。

　　該項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，占地面積約22.94萬(wàn)㎡，建筑面積約30.15萬(wàn)㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、成品庫(kù)、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項(xiàng)目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬(wàn)片碳化硅晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。

　　公開(kāi)資料指出，安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司，原名為蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司，是一家第三代半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)服務(wù)商，專(zhuān)注于碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國(guó)內(nèi)一流的產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng)，具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。值得一提是，該公司于去年完成超38億元A輪融資。

　　據(jù)了解，2023年5月，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略，進(jìn)軍碳化硅領(lǐng)域。研發(fā)方面，同年7月，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體SiC戰(zhàn)略項(xiàng)目(KO)A樣品達(dá)到預(yù)期設(shè)計(jì)目標(biāo)，這標(biāo)志著該公司擁有車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品自主研發(fā)能力;12月，長(zhǎng)飛先進(jìn)首顆自研產(chǎn)品1200V 20A SiC SBD正式進(jìn)入試產(chǎn)階段，標(biāo)志著長(zhǎng)飛先進(jìn)已具備SiC產(chǎn)品自主研發(fā)及量產(chǎn)能力。

　　碳化硅是第三代化合物半導(dǎo)體的典型代表產(chǎn)品，憑借高禁帶寬度、高飽和電子遷移速度、高工作溫度及高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，正逐步成為汽車(chē)、充電設(shè)備、便攜式電源等多個(gè)領(lǐng)域的優(yōu)選方案。尤其是新能源汽車(chē)領(lǐng)域，碳化硅已成為800V電壓平臺(tái)下功率器件的首要選擇，正逐步替代傳統(tǒng)硅基 IGBT。

　　TrendForce集邦咨詢(xún)最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車(chē)(BEV)銷(xiāo)量增速的明顯放緩已經(jīng)開(kāi)始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。