紅旗碳化硅功率芯片完成首次流片
時(shí)間:2024-10-24
來(lái)源:電子技術(shù)應(yīng)用
導(dǎo)語(yǔ):10 月 23 日消息,一汽紅旗昨日宣布,由研發(fā)總院新能源開(kāi)發(fā)院功率電子開(kāi)發(fā)部自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。
10 月 23 日消息,一汽紅旗昨日宣布,由研發(fā)總院新能源開(kāi)發(fā)院功率電子開(kāi)發(fā)部自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。
該款碳化硅功率芯片從產(chǎn)品核心指標(biāo)定義、襯底與外延材料選擇、元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、動(dòng)靜態(tài)性能仿真、工藝仿真、版圖設(shè)計(jì)、晶圓流片到晶圓封測(cè),實(shí)現(xiàn)全鏈條主導(dǎo)開(kāi)發(fā)。
官方表示,該款芯片聚焦整車(chē)電驅(qū)動(dòng)、智慧補(bǔ)能、車(chē)載電源、高壓配電、電動(dòng)化底盤(pán)等系統(tǒng)應(yīng)用需求,創(chuàng)新采用低導(dǎo)通電阻元胞結(jié)構(gòu)、高元胞密度版圖、高可靠性終端結(jié)構(gòu)及片上柵極電阻集成技術(shù),實(shí)現(xiàn)擊穿電壓超過(guò)
1200V,導(dǎo)通電阻小于 15mΩ,力求在效率、可靠性、集成化及標(biāo)準(zhǔn)化方面實(shí)現(xiàn)均衡設(shè)計(jì)。
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