中國(guó)芯片飛速發(fā)展,臺(tái)積電太強(qiáng)未受影響,而三星芯片被迫減產(chǎn)了

時(shí)間:2024-11-06

來源:OFweek 光通訊網(wǎng)

導(dǎo)語(yǔ):中國(guó)大陸的芯片企業(yè)增長(zhǎng)迅速,中芯國(guó)際已成全球第三大芯片代工廠,在中國(guó)芯片攻勢(shì)下,擁有先進(jìn)工藝的臺(tái)積電未受影響,而第二大芯片代工企業(yè)三星已遭受重大打擊,近期傳出關(guān)閉部分生產(chǎn)線的消息。

  臺(tái)積電和三星無(wú)疑是第一陣營(yíng)的芯片代工廠,不過雙方的技術(shù)差距,從5納米以后其實(shí)就已經(jīng)拉開差距了,三星的5納米工藝晶體管密度只是比臺(tái)積電的7納米EUV稍高、卻遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電的5納米。

  臺(tái)積電和三星為全球唯二量產(chǎn)3納米工藝的芯片代工企業(yè),從技術(shù)上來說,三星的3納米工藝還稍微領(lǐng)先,不過三星的3納米工藝卻深陷良率困擾,據(jù)悉在努力了一年之后也只是提升到兩成,而臺(tái)積電的3納米工藝卻已提升至八成以上。

  如此情況下,在7納米以下工藝,三星已無(wú)法與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng),其中的一個(gè)大客戶高通已離開三星,高通的驍龍8gen1采用三星的4納米工藝(改良自5納米)卻出現(xiàn)發(fā)熱問題,隨后高通將驍龍8gen1轉(zhuǎn)以臺(tái)積電的4納米工藝生產(chǎn),主頻進(jìn)一步提升而功耗卻下降了,證明了三星的5納米工藝確實(shí)不如臺(tái)積電的5納米工藝。

  隨著高通的離開,此前風(fēng)傳的AMD、NVIDIA有意將部分訂單交給三星的消息也不了了之,而臺(tái)積電也由此大獲全勝,目前三星的3納米工藝應(yīng)該尚未有任何客戶、5納米隨著高通的離開導(dǎo)致大量客戶流失,這就導(dǎo)致三星的5納米、3納米工藝產(chǎn)能嚴(yán)重過剩而不得不關(guān)閉部分生產(chǎn)線。

  那么為什么說中國(guó)芯片的發(fā)展也導(dǎo)致三星的芯片產(chǎn)能過剩呢?中國(guó)芯片的發(fā)展對(duì)三星的影響是多方面的,直接的方面就是中國(guó)芯片代工廠和三星大舉爭(zhēng)奪成熟工藝訂單。

  在成熟工藝方面,中國(guó)大陸的芯片代工廠擁有更低的成本,因此不僅中國(guó)大陸本土的芯片企業(yè)將芯片交給中芯國(guó)際代工,海外也有一些芯片企業(yè)將訂單交給中芯國(guó)際等代工,畢竟芯片行業(yè)如今競(jìng)爭(zhēng)激烈,同樣需要降低成本。

  間接的原因,則是中國(guó)芯片自給率不斷上升,2023年中國(guó)芯片的自給率已提升至三成以上,中國(guó)又是全球最大的芯片采購(gòu)國(guó),隨著中國(guó)芯片自給率上漲,中國(guó)連年減少芯片采購(gòu)量,這就導(dǎo)致海外芯片企業(yè)出現(xiàn)庫(kù)存問題,海外芯片不得不減少訂單。

  這就導(dǎo)致三星、聯(lián)電、格芯、力積電等的成熟工藝產(chǎn)能出現(xiàn)過剩,去年到今年初,這些芯片代工企業(yè)已出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的問題,為了爭(zhēng)奪訂單他們紛紛降價(jià)一成到兩成,可見中國(guó)芯片自給率上漲給他們帶來的影響有多大。

  如此情況下也就導(dǎo)致了三星從先進(jìn)工藝到成熟工藝都面臨產(chǎn)能過剩,三星占全球芯片代工市場(chǎng)的份額已從之前的高峰20%降低至如今13%,而芯片生產(chǎn)線維持成本超高,為了降低運(yùn)營(yíng)成本,關(guān)閉部分生產(chǎn)線已成為三星不得不做的選擇。

  由此也可見中國(guó)發(fā)展起自己的芯片產(chǎn)業(yè),對(duì)全球產(chǎn)生越來越大的影響,隨著三星開始縮減產(chǎn)能,臺(tái)積電遲早在成熟工藝方面也面臨著產(chǎn)能過剩,它將不得不更加依賴先進(jìn)工藝帶來的收入,不過由于它在先進(jìn)工藝的獨(dú)到優(yōu)勢(shì),臺(tái)積電如今要求提高先進(jìn)工藝的代工價(jià)格,而在成熟工藝方面卻沒有漲價(jià)。

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