第三代半導(dǎo)體突破供電瓶頸 有望在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域廣泛應(yīng)用

時間：2025-11-13

來源：電子技術(shù)應(yīng)用

導(dǎo)語：為支持高功耗高性能AI計算日益增長的需求，碳化硅襯底逐漸被用于AI數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)單元的交直流轉(zhuǎn)換階段。

　　為支持高功耗高性能AI計算日益增長的需求，碳化硅襯底逐漸被用于AI數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)單元的交直流轉(zhuǎn)換階段。

　　降低能耗、改進散熱解決方案并提升服務(wù)器的功率密度，打開了碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域和天花板。

　　AI服務(wù)器功耗高，數(shù)據(jù)中心需要使用更高功率的供電架構(gòu)。

　　為了應(yīng)對更高端的AI運算，服務(wù)器供電系統(tǒng)各環(huán)節(jié)的效能、功率密度需要進一步提高。

　　SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場、高遷移率等特點，允許材料在更高的溫度和電壓下運行，降低能耗和成本。

　　目前頭部廠商正在持續(xù)推動SiC/GaN在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域應(yīng)用。

　　東方證券指出，展望未來，在AI服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢下，SiC/GaN有望得到更廣泛的應(yīng)用。

　　相關(guān)上市公司中：

　　天岳先進表示，公司的客戶英飛凌、安森美已成功進入英偉達等行業(yè)巨頭的供應(yīng)鏈，成為AI算力基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分。

　　三安光電的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包括晶體生長—襯底制備—外延生長—芯片制程—封裝測試，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲能、充電樁、AI及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等領(lǐng)域。


AI
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