900A IGBT半橋模塊 SEMiXTM4
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相對于標準模塊30mm的高度,SEMiXTM4的高度才17mm,其長度為183mm,寬度為69mm,SEMiXTM4在如此小的體積內(nèi)實現(xiàn)了最大直流電流900A,是目前功率器件市場上最緊湊的半橋模塊。
SEMiXTM4 IGBT模塊,是SEMiXTM3的“大哥”,能夠應(yīng)于功率超過90kW的電機中。它有半橋和制動斬波兩種拓撲結(jié)構(gòu)。作為“小弟”的SEMiXTM2 IGBT模塊,是最小的半橋模塊,其長寬高尺寸僅為117mm x 62mm x 17mm,最大直流電流可達470A。
SEMiXTM IGBT系列采用溝道技術(shù),具有600V、1200V 和 1700V三種電壓等級,特別適合于開關(guān)頻率小于6 kHz的應(yīng)用場合。采用軟穿通技術(shù)的1200V模塊,其開關(guān)頻率可以超過6 kHz。
對于不同的功率等級,SEMiXTM設(shè)計平臺提供三種模塊尺寸。下表列明了三種SEMiXTM 模塊尺寸對應(yīng)的電流和電機功率范圍。更高功率等級的逆變器可以采用幾個半橋并聯(lián)的方式來實現(xiàn)。


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