產品頻道

娓娓工業(yè)
全部產品分類
您當前所在的位置: 產品頻道 > 產品分類 >智能檢測>機器視覺>視覺系統(tǒng)>東芝推出采用56nm工藝的16GbNAND閃存
東芝推出采用56nm工藝的16GbNAND閃存
大圖片
  • 1/200701301433044435
  • 1/200701301432374028
  • 1/200701301431361233

東芝推出采用56nm工藝的16GbNAND閃存

產品型號

廠商性質 生產商

公司名稱東芝中國有限公司 工業(yè)電氣系統(tǒng)部

地       址上海浦東新區(qū)陸家嘴環(huán)路1000號匯豐大廈23樓

分享
收藏產品

聯(lián)系人:東芝 021-68415666

聯(lián)系我時,請說明是在傳動網上看到的,謝謝!

企業(yè)信息

普通會員20

公司類型: 生產商

主運營:變頻調速器、電機、可編程序控制器、過程控制系統(tǒng)...

所在地區(qū):上海市

注冊時間:2006-03-21

產品介紹
——和SanDisk公司共同開發(fā)的業(yè)內最大容量芯片 東芝公司近日宣布,即將推出和美國SanDisk公司共同開發(fā)的采用最先進56nm*1工藝的16Gb(2gigabyte)、8Gb(1gigabyte)的NAND閃存。16Gb是單芯片的業(yè)內最大容量*2。 東芝從本月開始量產目前市場上主流的8GbNAND閃存,同時也計劃從今年第二季度的早期開始量產16GbNAND閃存。繼去年底開始出廠開發(fā)樣品后,現(xiàn)已開始將陸續(xù)出廠產品樣品。 本次新產品采用多值單元(MLC)技術和改進的編程效率,實現(xiàn)了高容量和高寫入性能。采用56nm工藝,實現(xiàn)了上一代產品(8Gb 70nm工藝)2倍的NAND閃存業(yè)內單芯片最大容量*2的16Gb產品。而且一次處理的數(shù)據(jù)(頁面)達到數(shù)倍增長,寫入速度也達到了以往MLC產品2倍*3的10MB/秒,同時實現(xiàn)了大容量化和高速化。 東芝公司今后將繼續(xù)微細加工、多值化的新技術開發(fā),同時也將不斷增強設備、改善生產效率,確保滿足NAND閃存市場需求的供應能力和成本競爭力。 *1 nm:納米。10-9m  *2 每一個硅芯片的容量 *3 和采用多值技術的本公司以往產品的最高速度進行比較 [align=center] [/align]

以上信息由企業(yè)自行提供,信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業(yè)負責,中國傳動網對此不承擔任何保證責任。 溫馨提示:為規(guī)避購買風險,建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。

推薦產品 更多+

網站簡介|會員服務|聯(lián)系方式|幫助信息|版權信息|網站地圖|友情鏈接|法律支持|意見反饋|sitemap

傳動網-工業(yè)自動化與智能制造的全媒體“互聯(lián)網+”創(chuàng)新服務平臺

網站客服服務咨詢采購咨詢媒體合作

Chuandong.com Copyright ?2005 - 2025 ,All Rights Reserved 深圳市奧美大唐廣告有限公司 版權所有
粵ICP備 14004826號 | 營業(yè)執(zhí)照證書 | 不良信息舉報中心 | 粵公網安備 44030402000946號